[发明专利]发光器件和包括发光器件的发光器件封装

说明书

发光器件的实施例包括：衬底；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层被布置在衬底上；有源层，该有源层被布置在第一导电类型半导体层上，多个量子阱层和多个量子势垒层被交替地堆叠在有源层中；第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层被布置在有源层上；接触层，该接触层被布置在第二导电类型半导体层上；电流扩展层，该电流扩展层被布置在接触层上；以及电流阻挡层，该电流阻挡层被布置在第二导电类型半导体层上，其中接触层和/或电流扩展层可以被形成以围绕电流阻挡层的至少一部分并且当米勒平面指数为400时具有衍射的X射线光束的最大强度值。

技术领域

实施例涉及发光器件和包括发光器件的发光器件封装。

背景技术

在本章节中的陈述仅提供与实施例有关的背景信息，并且可能不构成现有技术。

诸如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体由于诸如宽范围和易于调节的能带隙等其许多优点而已广泛用于电子器件和光电子器件。

具体地，使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料的发光器件，诸如发光二极管LED或激光二极管，由于薄膜生长技术的进步和器件材料的发展，可以发射各种颜色，诸如红色、绿色、蓝色和紫外光等。发光器件还可以使用荧光材料或通过颜色的组合高效地发射白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，发光器件具有低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全性和环境友好性的优点。

因此，发光器件已经越来越多地应用于光通信装置的传输模块、替换构成液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)的LED背光、可以替换荧光灯或白炽灯的白色LED照明装置、车辆的前照灯和信号灯。

一直在进行关于平滑操作和提高能量效率的发光器件的研究。例如，已经需要开发具有低工作电压和高光输出的发光器件。

发明内容

技术问题

因此，实施例提供具有低工作电压和高光输出的发光器件。

能够通过本发明实现的技术目的不限于上文具体描述的内容，并且本领域的技术人员从以下详细描述中将更清楚地理解在此未描述的其他技术目的。

技术方案

在一个实施例中，发光器件可以包括：衬底；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层被布置在衬底上；有源层，该有源层被布置在第一导电类型半导体层上，多个量子阱层和多个量子势垒层被交替地堆叠在有源层中；第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层被布置在有源层上；接触层，该接触层被布置在第二导电类型半导体层上；电流扩展层，该电流扩展层被布置在接触层上；以及电流阻挡层，该电流阻挡层被布置在第二导电类型半导体层上，其中接触层和/或电流扩展层被形成以围绕电流阻挡层的至少一部分并且当米勒平面指数(Miller plane index)为400时具有衍射的X射线光束(diffracted X-ray beam)的最大强度值。

在另一实施例中，发光器件可以包括：反射层；衬底，该衬底被布置在反射层上；第一导电类型半导体层，该第一导电类型半导体层被布置在衬底上；有源层，该有源层被布置在第一导电类型半导体层上；第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层被布置在有源层上；接触层，该接触层被布置在第二导电类型半导体层上；以及电流扩展层，该电流扩展层被布置在接触层上并由铟锡氧化物(ITO)材料形成；钝化层，该钝化层被布置在电流扩展层上；第一电极，该第一电极被布置在第一导电类型半导体层上；第二电极，该第二电极被布置在第二导电类型半导体层上；以及电流阻挡层，该电流阻挡层被布置在第二导电类型半导体层和第二电极之间。

在一个实施例中，发光器件封装可以包括：主体，该主体包括腔体；引线框架，该引线框架被安装在主体上；以及发光器件，该发光器件被电连接到引线框架。

有益效果