[发明专利]具有复制裸片接合垫的半导体装置及相关联装置封装及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201780011278.0 申请日: 2017-01-05
公开(公告)号: CN108701686B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: N·J·希罗奇卡;T·塔纳蒂;A·D·普勒斯奇欧蒂缇 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/538;H01L25/07;H01L23/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 复制 接合 半导体 装置 相关 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置封装,其包括:

多个封装接触件;及

半导体裸片,其包含

具有专用第一引脚指派的多个第一裸片接合垫,

具有专用第二引脚指派的多个第二裸片接合垫,

具有与所述第二裸片接合垫相同的专用第二引脚指派的多个复制裸片接合垫,及

集成电路,其经由所述多个第一裸片接合垫及所述第二裸片接合垫或所述复制裸片接合垫(但非两者)而可操作地耦合到所述封装接触件,

其中所述集成电路经配置以编程为以下状态中的一者:(1)第一垫状态,其中所述第一裸片接合垫及所述第二裸片接合垫经启用以与所述封装接触件一起使用,或(2)第二垫状态,其中所述第一裸片接合垫及所述复制裸片接合垫经启用以与所述封装接触件一起使用。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述集成电路经进一步配置以:

在所述第一垫状态中停用所述复制裸片接合垫;或

在所述第二垫状态中停用所述第二裸片接合垫。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述半导体裸片进一步包含周长及在所述周长的相对侧处的第一裸片边缘及第二裸片边缘,且其中所述第一裸片接合垫及所述第二裸片接合垫邻近所述第一裸片边缘,且其中所述复制裸片接合垫邻近所述第二裸片边缘。

4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其进一步包括承载所述半导体裸片的封装衬底,其中:

所述封装衬底包含经线接合到所述第一裸片接合垫及所述第二裸片接合垫中的对应者的多个中间接合垫,及将所述中间接合垫电耦合到所述封装接触件的多个导电迹线;且

所述封装接触件经形成于所述封装衬底上所述半导体裸片下方。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述第一裸片接合垫接近于邻近所述第一裸片 边缘的第一裸片角落区域及第二裸片角落区域,沿所述第一裸片角落区域及所述第二裸片角落区域之间的所述第一裸片 边缘中间来定位所述第二裸片接合垫,且所述复制裸片接合垫接近于邻近所述第二裸片边缘的第三裸片角落区域及第四裸片角落区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括至少部分囊封所述半导体裸片的壳体,其中所述封装接触件包含延伸穿过所述封装壳体且经线接合到所述第一裸片接合垫及所述复制裸片接合垫中的对应者的金属引线。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述集成电路包含非易失性存储器,且其中所述非易失性存储器经配置以存储指示所述第一垫状态的第一值及指示所述第二垫状态的第二值中的至少一者。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装,其中所述非易失性存储器经进一步配置以存储指示其中所述第二裸片接合垫及所述复制裸片接合垫两者皆经停用的第三垫状态的值。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述集成电路包含存储器组件及用于存取所述存储器组件的多个数据线,且其中所述第一引脚指派、第二引脚指派及复制引脚指派中的每一者与所述数据线中的一者相关联。

10.一种制造半导体装置封装的方法,其包括:

将半导体装置封装的封装接触件选择性地连接到形成所述半导体装置封装的部分的半导体裸片,其中所述半导体裸片包含:具有专用第一引脚指派的多个第一裸片接合垫;具有专用第二引脚指派的多个第二裸片接合垫;及具有与所述第二裸片接合垫相同的专用第二引脚指派的多个第三裸片接合垫,其中选择性地连接所述封装接触件包含

将个别封装接触件连接到所述第一裸片接合垫,及

(1)将个别封装接触件连接到所述第二裸片接合垫,或

(2)将个别封装接触件连接到所述第三裸片接合垫;及

将所述半导体裸片编程为垫状态,其中所述第二裸片接合垫经启用以供使用,或所述第三裸片接合垫经启用以供使用。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司,未经美光科技公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780011278.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top