[发明专利]金属板、沉积用掩模及其制造方法有效
申请号: | 201780011646.1 | 申请日: | 2017-01-31 |
公开(公告)号: | CN108701776B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 韩太勋;金南昊;卢健镐;朴宰奭;李相范 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00;C23C14/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;苏虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属板 沉积 用掩模 及其 制造 方法 | ||
根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括:通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,以及其中当在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时,外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。
技术领域
一个实施方案涉及金属板。具体地,一个实施方案涉及能够用于沉积用掩模的金属板。更具体地,可以通过使用根据一个实施方案的沉积用掩模来制造有机发光二极管(OLED)面板。
背景技术
随着对具有高分辨率和低功耗的显示装置的需要,已开发了各种显示装置,例如液晶显示装置和电致发光显示装置。
与液晶显示装置相比,电致发光显示装置由于诸如低发光、低功耗和高分辨率等优异的特性而作为下一代显示装置受到关注。
在电场显示装置中存在有机发光显示装置和无机发光显示装置。即,电场显示装置可根据发光层的材料分为有机发光显示装置和无机发光显示装置。
其中,有机发光显示装置受到关注,因为有机发光显示装置具有宽的视角,具有快的响应速度,并且需要具有低的功耗。
构成这样的发光层的有机材料可以通过精细金属掩模法在基底上形成为具有用于形成像素的图案。
此时,精细金属掩模即沉积用掩模可以具有与待在基底上形成的图案对应的通孔,并且形成像素的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的图案可以通过在使精细金属掩模在基底上对准之后沉积有机材料来形成。
可以通过蚀刻工艺在能够用作沉积用掩模的金属板上形成复数个通孔。
此时,当复数个通孔不均匀时,沉积的均匀性可能劣化,并且由于通过其形成的图案的沉积效率可能劣化,工艺效率可能劣化。
发明内容
技术问题
一个实施方案旨在提供一种能够形成均匀通孔的金属板。
技术方案
在根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板中,金属板包括:通过距离所述金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层;和除外层之外的内层,其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢,外层的蚀刻速率小于或等于0.03μm/秒,内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒,所述蚀刻速率在用包含35重量%至45重量%的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量。
根据一个实施方案的制造沉积用掩模的方法包括:准备基础金属板;对基础金属板进行轧制;形成光致抗蚀剂层以在基础金属板的第一表面上设置第一光致抗蚀剂层以及在基础金属板的第二表面上设置第二光致抗蚀剂层;以及进行蚀刻以形成通孔,第一表面的第一表面孔和第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通,其中在蚀刻之后第一表面孔和第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子大于或等于2.0。
有益效果
根据一个实施方案的金属板可以包括通过距离金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层和除外层之外的内层。
此时,金属板可以包含具有彼此不同取向的两个或更多个晶面。
金属板的表面上的{220}晶面的比率在外层与内层之间可以不同。即,可以通过调节外层和内层的{220}晶面的比率来相对于内层延缓外层中的蚀刻速率。因此,金属板可以形成均匀的通孔。
即,用于制造沉积用掩模的金属板包括具有改善的均匀性的通孔,使得通过通孔形成的图案的均匀性可以得到改善,并且工艺效率可以通过增加图案的沉积效率而得到改善。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780011646.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择