[发明专利]用于钴镀覆的增强镀覆浴及添加剂化学品

权利要求书

1.一种在基板上形成钴层的方法，包括下述步骤：

将基板浸泡在钴镀覆浴中，所述基板具有导电层，所述导电层设置在所述基板上，其中所述钴镀覆浴包括：

第一量的钴离子；和

第一量的至少一种抑制剂化合物，所述抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且其中所述咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基；和

相对阳极偏压所述导电层，而在所述导电层的表面上形成钴层，所述阳极电连通所述钴镀覆浴与所述导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述烷基是芳香族烷基、脂肪族烷基、氧化的碳基、醚基、乙氧基、丙氧基、乙二醇基、二乙二醇基、丙二醇基、二丙二醇基、一级胺基、二级胺基、三级胺基、硫醚基、巯基，或上述基团的组合。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述烷基是寡聚式(oligomeric)或聚合式(polymeric)的烷基。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述烷基是聚乙二醇基。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述聚乙二醇基的分子量在约100克/摩尔至约30000克/摩尔之间。

6.如权利要求3所述的方法，其中所述烷基是聚丙二醇。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述钴镀覆浴具有在约5至约7之间的pH值。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述钴镀覆浴包括氨基磺酸钴(cobalt sulfamate)或含甘氨酸钴配合物的溶液，其中所述钴镀覆浴中的所述钴离子的浓度介于约0.001摩尔/升至0.25摩尔/升之间。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述钴镀覆浴包括氨基磺酸钴溶液。

10.一种形成钴电镀浴的方法，包括下述步骤：

将第一量的钴离子源配发至第一容器中；

将第一量的至少一种抑制剂化合物配发至所述第一容器中，其中所述至少一种抑制剂化合物包含咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基，且所述咪唑基、咪唑啉基、或咪唑啉啶基包含烷基醚(alkyl ether)基，及；

将所述钴电镀浴调整至约4至约9之间的pH值。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述钴离子源是氨基磺酸钴。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述钴电镀浴进一步包括第一量的硼酸。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述烷基醚基是聚丙二醇。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述烷基醚基是聚乙二醇基。

15.如权利要求14所述之方法，其中所述聚乙二醇基的分子量在约100克/摩尔至约30000克/摩尔之间。