[发明专利]用于制造光电子部件的方法及光电子部件

说明书

根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件(100)的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜(1)。在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片(2)附着在中间膜(1)的预定位置上。在步骤C)中，提供具有多个分开的开口(30)的腔膜(3)。在步骤D)中，将腔膜(3)附着至中间膜(1)，使得每个光电子半导体芯片(2)与相应的开口(30)相关联。腔膜(3)比光电子半导体芯片(2)厚，使得腔膜(3)在离开中间膜(1)的方向上超出光电子半导体芯片(2)。在步骤E)中，在开口(30)中的每一个中填充浇注材料(4)，使得光电子半导体芯片(2)被浇注有浇注材料(4)。在步骤F)中，去除中间膜(1)。

提供了用于制造光电子部件的方法。此外，提供了光电子部件。

要实现的一个目的是提供用于制造光电子部件的有效方法。要实现的另一目的是提供可以利用该方法进行制造的光电子部件。

这些目的尤其是通过独立权利要求的方法和主题来解决的。有利的实施方式和进一步的开发是从属权利要求的主题。

根据至少一个实施方式，用于制造光电子部件的方法包括步骤A)，在步骤A)中，提供中间膜。中间膜可以是带，优选地是粘合带。特别地，中间膜是柔性的、或可弯曲的、或可折叠的、或可卷曲的。出于此目的，中间膜可以具有至多1mm、或至多500μm、或至多200μm、或至多100μm的厚度。此外，中间膜优选地是自支承的。出于此目的，中间膜可以具有至少20μm、或至少50μm、或至少100μm、或至少200μm的厚度。

中间膜具有主延伸方向。中间膜的沿主延伸方向延伸的顶面可以是带粘性的。中间膜的基本上平行于顶面延伸的底面也可以是带粘性的。厚度是在顶面与底面之间测量的。中间膜优选地是连续的并且没有孔和中断。中间膜可以由单件形成或者可以以多层方式形成。

根据至少一个实施方式，所述方法包括步骤B)，在步骤B)中，将多个光电子半导体芯片附着在中间膜的预定位置上。特别地，将光电子半导体芯片放置在中间膜的顶面上。通过将光电子半导体芯片附着至中间膜，半导体芯片优选地暂时固定至中间膜，例如它们暂时粘附至中间膜。特别地，光电子半导体芯片处于与中间膜直接接触的状态。

中间膜的预定位置可以是彼此具有相等距离的位置。例如，光电子半导体芯片以单行或者以一排或者以多个排例如以矩阵的形式附着至中间膜。

每个光电子半导体芯片包括有源层，该有源层在预期操作期间产生电磁辐射。例如，有源层产生处于蓝色光谱、或绿色光谱、或红色光谱或者UV区域中的光。光电子半导体芯片可以是AlInGaN半导体芯片。

每个光电子半导体芯片包括顶面和底面，其中，顶面和底面是光电子半导体芯片的基本上彼此平行地延伸的主延伸面。顶面可以是光电子半导体芯片的辐射出射面，经由该辐射出射面发射至少50％或至少80％的所产生的辐射。底面可以是光电子半导体芯片的接触件面，光电子半导体芯片可以经由该接触件面电连接。光电子半导体芯片可以是可表面安装的芯片，例如倒装芯片。在顶面与底面之间测量的光电子半导体芯片的厚度例如是至多250μm、或至多200μm、或至多150μm。另外地或可替选地，该厚度可以是至少80μm或至少100μm。

特别地，每个光电子半导体芯片包括恰好一个连续的有源层。平行于半导体芯片的顶面或底面测量的每个光电子半导体芯片的横向范围(lateral extent)与有源层的横向范围基本上对应。例如，每个光电子半导体芯片的横向范围超出有源层的横向范围至多10％、或至多5％、或至多1％。

当将光电子半导体芯片附着至中间膜时，优选地将半导体芯片的底面附着至中间膜的顶面。因此，在附着了半导体芯片之后，半导体芯片的底面面向中间膜，而顶面背向中间膜。