[发明专利]采用高密度且可缩放的字线设计方法的三维存储单元阵列

权利要求书

1.一种设备，所述设备包括：

三维存储单元阵列结构；

楼梯结构，所述楼梯结构包括交替的导电层和电介质层，其中在所述导电层中形成相应的字线，所述字线被连接到所述三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元；以及

所述楼梯结构上方的上部字线，所述上部字线被连接到第一通路，所述第一通路连接到所述楼梯结构的相应的台阶，所述上部字线还被连接到从与所述三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的所述楼梯结构的侧面垂直延伸下来的第二通路，所述第二通路被连接到布置在所述楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述楼梯结构包括邻近楼梯的平台并且所述第二通路从所述平台的侧面直接延伸下来。

3. 如权利要求1所述的设备，进一步包括：

第二楼梯结构，所述第二楼梯结构包括第二交替的导电层和电介质层，其中在所述第二导电层中形成相应的第二字线，所述第二字线被连接到所述三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元；以及

所述第二楼梯结构上方的第二上部字线，所述第二上部字线被连接到第二第一通路，所述第二第一通路连接到所述第二楼梯结构的相应的台阶，所述第二上部字线还被连接到从与所述三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的所述第二楼梯结构的侧面垂直延伸下来的另外的第二通路，所述另外的第二通路被连接到布置在所述第二楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述第二楼梯结构在离开所述三维存储单元阵列的方向上从所述楼梯结构伸出来。

5.如权利要求3所述的设备，进一步包括第二楼梯链，所述第二楼梯链包括所述第二楼梯结构，并且所述第二楼梯链与包括所述楼梯结构的第一楼梯链不同。

6.如权利要求3所述的设备，其中所述存储单元阵列结构包括非易失性存储器单元。

7.如权利要求6所述的设备，其中所述存储单元阵列结构包括下列项中的任何项：

FLASH随机存取存储器（RAM）存储单元；

相变RAM存储单元；

电阻RAM存储单元；

铁电RAM存储单元；

磁RAM存储单元；

自旋转移力矩存储单元。

8.一种计算系统，所述计算系统包括：

多个处理核；

存储器控制器；

耦合至所述存储器控制器的系统存储器；

非易失性存储装置；

其中所述系统存储器和存储装置中的至少之一包括：

三维存储单元阵列结构；

楼梯结构，所述楼梯结构包括交替的导电层和电介质层，其中在所述导电层中形成相应的字线，所述字线被连接到所述三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元；以及

所述楼梯结构上方的上部字线，所述上部字线被连接到第一通路，所述第一通路连接到所述楼梯结构的相应的台阶，所述上部字线还被连接到从与所述三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的所述楼梯结构的侧面垂直延伸下来的第二通路，所述第二通路被连接到布置在所述楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。

9.如权利要求8所述的计算系统，其中所述楼梯结构包括邻近楼梯的平台并且所述第二通路从所述平台的侧面直接延伸下来。

10. 如权利要求8所述的计算系统，进一步包括：

第二楼梯结构，所述第二楼梯结构包括第二交替的导电层和电介质层，其中在所述第二导电层中形成相应的第二字线，所述第二字线被连接到所述三维存储单元阵列结构内的相应的存储单元；以及

所述第二楼梯结构上方的第二上部字线，所述第二上部字线被连接到第二第一通路，所述第二第一通路连接到所述第二楼梯结构的相应的台阶，所述第二上部字线还被连接到从与所述三维存储单元阵列结构对面的侧面不同的所述第二楼梯结构的侧面垂直延伸下来的另外的第二通路，所述另外的第二通路被连接到布置在所述第二楼梯结构下方的相应的字线驱动器晶体管。