[发明专利]成像装置和电子装置有效
申请号: | 201780014844.3 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108738370B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 朝妻智彦;石田実 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;H04N5/355;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子 | ||
1.一种成像装置,其包括:
第一光电转换单元;
第二光电转换单元,所述第二光电转换单元每单位时间要转换的电荷量比所述第一光电转换单元的少;
第一芯片上透镜,所述第一芯片上透镜形成在所述第一光电转换单元上;
第一光屏蔽膜,所述第一光屏蔽膜在所述第一光电转单元和所述第一芯片上透镜之间;
第二芯片上透镜,所述第二芯片上透镜形成在所述第二光电转换单元上;
第二光屏蔽膜,所述第二光屏蔽膜在所述第二光电转单元和所述第二芯片上透镜之间;
电荷累积单元,所述电荷累积单元被配置成累积由所述第二光电转换单元产生的第一电荷;
电荷电压转换单元;
像素间光屏蔽单元,所述像素间光屏蔽单元在所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元之间,其中,所述像素间光屏蔽单元包括在所述像素间光屏蔽单元的宽度方向上的中心;
第一传输门单元,所述第一传输门单元被配置成将第二电荷从所述第一光电转换单元传输到所述电荷电压转换单元;
第二传输门单元,所述第二传输门单元被配置成耦合所述电荷电压转换单元的电位和所述电荷累积单元的电位;
第三传输门单元,所述第三传输门单元被配置成将所述第一电荷从所述第二光电转换单元传输到所述电荷累积单元,其中,所述第一传输门单元、所述第二传输门单元和所述第三传输门单元在所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元之间串联连接;
溢出路径,所述溢出路径形成在所述第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将溢出电荷从所述第二光电转换单元传输到所述电荷累积单元;
滤色器,所述滤色器在所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元中的每一者上;和
减光单元,所述减光单元在所述滤色器和所述第二芯片上透镜单元之间,其中,所述减光单元被配置成减少光进入所述第二光电转换单元,并且
在其中所述第一芯片上透镜和所述第二芯片上透镜彼此相邻的部分中,所述减光单元在所述第一光电转换单元的方向上相对于所述像素间光屏蔽单元的所述中心延伸。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述减光单元形成在所述第二光电转换单元与所述第二芯片上透镜之间。
3.根据权利要求2所述的成像装置,其中
所述减光单元是减少透过所述第二芯片上透镜的光的滤光器。
4.根据权利要求2所述的成像装置,其中
所述减光单元是消色差滤光器。
5.根据权利要求2所述的成像装置,其中
所述减光单元形成在形成所述第二芯片上透镜时未暴露的部分中,且在覆盖所述第二光电转换单元的部分中。
6.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述减光单元具有近似四边形的形状,并且顶点部分形成为近似圆弧形状。
7.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述减光单元具有近似圆形的形状。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述减光单元具有近似四边形的形状,并且所述近似四边形的形状的顶点部分被布置在其中所述第一芯片上透镜和所述第二芯片上透镜彼此相邻的所述部分中。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中
所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元是以近似相同的尺寸形成的。
10.根据权利要求2所述的成像装置,其中
所述减光单元使透过所述第二芯片上透镜的光所通过通道面积变小。
11.根据权利要求10所述的成像装置,其中
所述第二光屏蔽单元的开口形状是所述第二光电转换单元的外边缘的缩小形状。
12.根据权利要求10所述的成像装置,其中
所述第二光屏蔽单元的开口形状是近似圆形的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的