[发明专利]成像装置和电子装置有效
申请号: | 201780014844.3 | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN108738370B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 朝妻智彦;石田実 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B3/00;H04N5/355;H04N5/369;H04N9/07 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本国东*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子 | ||
本技术涉及成像装置和能扩展成像装置的动态范围而不会使图像品质劣化的电子装置。本技术提供了:第一光电转换单元;第二光电转换单元,其每单位时间要转换的电荷量比第一光电转换单元的少;电荷累积单元,其被配置成累积由第二光电转换单元产生的电荷;电荷电压转换单元;第一传输门单元,其被配置成将电荷从第一光电转换单元传输到电荷电压转换单元;第二传输门单元,其被配置成耦合电荷电压转换单元和电荷累积单元的电位;第三传输门单元,其被配置成将电荷从第二光电转换单元传输到电荷累积单元;溢出路径,其形成在第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将从第二光电转换单元溢出的电荷传输到电荷累积单元;和减光单元,其被配置成减少光进入第二光电转换单元。本技术可应用于例如成像装置。
技术领域
本技术涉及成像装置和电子装置,并且特别地涉及能够扩展动态范围的成像装置和电子装置。
背景技术
包括光电转换元件的成像装置
(1)在拍摄低照度的被摄体时,期望具有光电转换元件的高灵敏度,且
(2)在拍摄高照度的被摄体时,期望具有不大容易饱和的光电转换元件,以便输出具有渐变性质的信号。
作为旨在实现上述两个特性的成像装置,提出了提供具有高灵敏度的第一光电转换元件和具有低灵敏度但能够在一个像素中储存大量电荷的第二光电转换元件,从而扩展被摄体的照度范围以拍摄具有渐变性质的图像,换言之,扩展成像装置的动态范围(例如,参见专利文件1)。
引文列表
专利文件
专利文件1:WO2015/012098
发明内容
本发明要解决的问题
然而,在专利文件1中提供的第一光电转换元件和第二光电转换元件两者中,用于储存电荷的装置是用于将电荷储存在耗竭光电二极管中造成的电位的阱中的装置。由于储存电荷的机制是相同的,因此由第一光电转换元件和第二光电转换元件的电荷累积单元每单位面积可累积的电荷量基本上是相等的。
因此,难以通过增加要储存在第二光电转换元件的电荷累积单元中的电荷量而不只是第一光电转换元件的电荷累积单元与第二光电转换元件的电荷累积单元之间的面积比来扩展动态范围。
本技术是鉴于前述内容提出的,并使得能够进一步扩展动态范围。
问题的解决方案
本技术的一个方面的成像装置包括:第一光电转换单元;第二光电转换单元,其每单位时间要转换的电荷量比第一光电转换单元的少;电荷累积单元,其被配置成累积由第二光电转换单元产生的电荷;电荷电压转换单元;第一传输门单元,其被配置成将电荷从第一光电转换单元传输到电荷电压转换单元;第二传输门单元,其被配置成耦合电荷电压转换单元和电荷累积单元的电位;第三传输门单元,其被配置成将电荷从第二光电转换单元传输到电荷累积单元;溢出路径,其形成在第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将从第二光电转换单元溢出的电荷传输到电荷累积单元;和减光单元,其被配置成减少光进入第二光电转换单元。
本技术的一个方面的电子装置包括成像装置,所述成像装置包括:第一光电转换单元;第二光电转换单元,其每单位时间转换的电荷量比第一光电转换单元的少;电荷累积单元,其被配置成累积由第二光电转换单元产生的电荷;电荷电压转换单元;第一传输门单元,其被配置成将电荷从第一光电转换单元传输到电荷电压转换单元;第二传输门单元,其被配置成耦合电荷电压转换单元和电荷累积单元的电位;第三传输门单元,其被配置成将电荷从第二光电转换单元传输到电荷累积单元;溢出路径,其形成在第三传输门单元的门电极下方,并且被配置成将从第二光电转换单元溢出的电荷传输到电荷累积单元;和减光单元,其被配置成减少进入第二光电转换单元的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的