[发明专利]导电结构、包括导电结构的系统及装置以及相关方法

权利要求书

1.一种导电结构，其包括：

堆叠，其包含交替的导电材料及介电材料，所述堆叠进一步包含：

凹陷部分，所述凹陷部分界定凹部，每一所述凹部具有相对阶梯结构，每一所述相对阶梯结构具有导电台阶，每一导电台阶包含所述堆叠的所述导电材料中的一者；以及

平台部分，所述平台部分位于所述凹陷部分之间，且所述平台部分界定所述堆叠的凸部；

导电接触件，所述导电接触件在所述堆叠的一个或多个所述平台部分处延伸穿过所述堆叠；及

存取线，所述存取线从所述导电接触件及在所述导电接触件与所述凹部的所述相对阶梯结构的至少部分的所述导电台阶处之间延伸。

2.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述堆叠的所述平台部分包含与第二绝缘材料交替的第一绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的导电结构，其进一步包括绝缘衬层，所述绝缘衬层设置于所述导电接触件与所述平台部分内的所述堆叠之间。

4.根据权利要求1所述的导电结构，其中所述导电接触件可操作地耦合到下伏于所述堆叠的至少一个控制单元。

5.根据权利要求1所述的导电结构，其进一步包含填充绝缘材料的狭槽，且所述狭槽沿所述堆叠的长度延伸，所述狭槽包括：

外狭槽，其沿所述堆叠的所述长度的大部分连续地延伸；及

内狭槽，其沿所述堆叠的所述长度不连续地延伸。

6.一种半导体装置，其包括：

存储器单元阵列；及

根据权利要求1所述的导电结构，其定位为与所述存储器单元阵列相邻且与所述存储器单元阵列电连通。

7.一种形成导电结构的方法，所述方法包括：

形成包含交替的导电材料及介电材料的堆叠，所述堆叠进一步包含：

凹陷部分，所述凹陷部分界定凹部，每一所述凹部具有相对阶梯结构，每一所述相对阶梯结构具有导电台阶，每一所述导电台阶包括所述堆叠的所述导电材料中的一者；以及

平台部分，所述平台部分位于所述凹陷部分之间，且所述平台部分界定所述堆叠的凸部；

在所述平台部分内形成延伸穿过所述堆叠的开口；

在延伸穿过所述堆叠的所述开口中形成导电接触件；及

形成从所述导电接触件及在所述导电接触件与所述凹部的所述相对阶梯结构的至少部分的所述导电台阶处之间延伸的存取线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成堆叠包括：

形成穿过另一堆叠的狭槽，所述另一堆叠包含介电材料及与所述介电材料交替的牺牲绝缘材料；

移除邻近所述狭槽的所述牺牲绝缘材料的部分；及

在所述狭槽中及在经由移除所述牺牲绝缘材料的所述部分而形成的凹陷中沉积导电材料。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：

移除所述狭槽内的所述导电材料的部分以形成开口；及

在所述开口内沉积另一绝缘材料。