[发明专利]用于界定设计数据的重复结构中的关注区域的系统及方法

说明书

本发明揭示一种方法，其包含：识别具有第一敏感度阈值的第一关注区域的第一集合，所述第一关注区域与设计数据中的重复单元块内的第一受关注设计相关联；识别具有额外敏感度阈值的额外关注区域的额外集合，所述额外关注区域与设计数据中的重复单元块内的额外受关注设计相关联；基于所述第一敏感度阈值识别样本的选定区域的一或多个图像中的第一关注区域的所述第一集合内的一或多个缺陷；及基于所述额外敏感度阈值识别所述样本的所述选定区域的所述一或多个图像中的所述额外关注区域的所述额外集合内的一或多个缺陷。

优先权

本申请案依据35 U.S.C.§119(e)主张发明人为黄俊青(Junqing Huang)、赛林·康乃琪(Soren Konecky)、李胡成(Hucheng Lee)、吴可浓(Kenong Wu)及高立生(LishengGao)的标题为“通过用户在设计视图中进行拖动来界定重复结构中的关注区域(DEFININGCARE AREA IN REPEATING STRUCTURE BY USER DRAWING IN DESIGN VIEW)”的2016年3月29日申请的第62/314,725号美国临时专利申请案的优先权，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及晶片检验及复检，且更特定来说，本发明涉及在晶片检验期间以设计数据的重复结构中的界定的关注区域定位缺陷。

背景技术

制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。多个半导体装置可在单个半导体晶片上制造成某一布置且接着分离为个别半导体装置。

在制造工艺期间半导体装置可能会逐渐形成缺陷。在半导体制造工艺期间的各种步骤处执行检验过程以检测样本上的缺陷。检验过程是制造半导体装置(例如集成电路)的重要部分，随着半导体装置的尺寸的减小，检验过程对于成功制造可接受半导体装置变得更加重要。随着半导体装置的尺寸的减小而极其需要缺陷检测，因为相对较小的缺陷可引起半导体装置中的非所要失常。

一种缺陷检测方法包含比较晶片检验图像与晶片设计数据，其中所述晶片设计数据包含一或多个关注区域。所述关注区域指示具有成为缺陷位置的可能性的受关注设计。然而，界定关注区域的已知方法可为劳动力及/或运算密集型的。因而，将期望提供一种用于改进的晶片检验及缺陷分类的解决方案以解决制造问题且提供改进的晶片检验能力。

发明内容