[发明专利]用于处理基板的设备、处理系统和方法在审
申请号: | 201780015869.5 | 申请日: | 2017-05-16 |
公开(公告)号: | CN109257933A | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 约翰·M·怀特;岭·灿;拉尔夫·林登贝格 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/50;C23C16/458;C23C16/54;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空处理装置 处理基板 支撑结构 处理系统 大气空间 配置 | ||
叙述一种用于处理基板的设备(100)。该设备包含第一真空处理装置(101)、第二真空处理装置(102)、和支撑结构(103),该支撑结构(103)配置在第一真空处理装置(101)和第二真空处理装置(102)之间的大气空间(108)中。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于处理基板的设备、用于处理基板的处理系统、和用于保养设备的方法。本公开内容的实施方式特别是涉及用于处理二或更多个基板的真空处理设备,例如用于显示器制造,涉及配置成用于基板的真空处理以制造显示器装置的处理系统,和涉及用于从提供在两个真空处理装置(processing arrangement)之间的大气空间保养真空处理设备的方法。
背景技术
用于基板上的层沉积的技术,例如包含溅射沉积、热蒸镀、和化学气相沉积。溅射沉积工艺能用于在基板上沉积材料层,例如导电材料或绝缘材料的层。在溅射沉积工艺期间,具有待沉积在基板上的靶材料的靶受到在等离子体区中产生的离子轰击,以从靶的表面逐出靶材料的原子。被逐出的原子能在基板上形成材料层。在反应性溅射沉积工艺中,被逐出的原子能和等离子体区中的气体如氮或氧反应,以在基板上形成靶材料的氧化物、氮化物、或氮氧化物。
经涂布的材料可用在数种应用和数种技术领域中。举例来说,一种应用是在微电子学的领域,例如产生半导体装置。此外,用于显示器的基板经常通过溅射沉积工艺来涂布。另外的应用包含绝缘面板、带有薄膜晶体管(TFT)的基板、彩色滤光片、或类似者。
举例来说,在显示器制造中,降低显示器的制造成本是有利的,所述显示器例如用于手机、平板计算机、电视屏幕、和类似者。制造成本的降低,能例如通过增加真空处理系统如溅射沉积系统的产量来实现。另外,占地能是降低持有真空处理系统的成本的相关因素。
考虑到上述情况,克服至少一些技术领域中的问题的设备、系统、和方法是有利的。本公开内容特别是致力于提出提供用于增加产量、降低真空处理系统的占地、以及降低操作、维护、和制造成本之中的至少一者的设备、系统、和方法。
发明内容
鉴于上述情况,提供用于处理基板的设备、用于处理基板的处理系统、和用于保养设备的方法。本公开内容另外的方面、优点、和特征从权利要求书、说明书、和所附附图而明朗。
根据本公开内容的一个方面,提供一种用于处理基板的设备。该设备包含第一真空处理装置、第二真空处理装置、和支撑结构。支撑结构配置在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的大气空间中。
根据本公开内容的另一个方面,提供一种用于处理基板的设备。该设备包含第一真空处理装置、第二真空处理装置、和支撑结构。支撑结构配置在第一真空处理装置和第二真空处理装置之间的大气空间中。另外,支撑结构包含基座架结构,该基座架结构支撑第一真空处理装置的第一真空腔室的第一底壁。此外,支撑结构的基座架结构支撑第二真空处理装置的第二真空腔室的第二底壁。另外,支撑结构包含强化架结构,该强化架结构连接至第一真空腔室的第一背壁,并连接至第二真空腔室的第二背壁。第一真空腔室相对于第二真空腔室配置。
根据本公开内容的又另一个方面,提供一种用于处理基板的处理系统。该处理系统包含根据任何叙述于此的实施方式的用于处理基板的设备。另外,该处理系统包含基板装载模块,该基板装载模块用于将基板装载至用于处理基板的该设备中。基板装载模块包含固持装置和摆动模块,固持装置用于固持基板,摆动模块用于在水平定向和垂直定向之间改变基板定向。
根据本公开内容的再一个方面,提供一种用于保养用在处理基板的设备的方法,该设备包含第一真空处理装置和第二真空处理装置,第一真空处理装置和第二真空处理装置由共享的支撑结构所支撑。该方法从提供在支撑结构的基座架结构上方的大气空间保养第一真空处理装置和/或第二真空处理装置。
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