[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，包含对成膜于基板上的非晶硅膜照射激光的处理，其特征在于，包含：

激光退火工序，对所述非晶硅膜中包含沟道区域的形成区域的区域照射所述激光，使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化，由此形成包含所述沟道区域的多晶硅膜；

将所述多晶硅膜中的所述沟道区域以外的区域通过蚀刻除去的工序。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

在所述激光退火工序中，经由投影透镜缩小投影掩模图案，对与所述掩模图案对应的包含所述沟道区域的形成区域的区域照射所述激光。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述投影透镜是多个微透镜。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

所述包含沟道区域的形成区域的区域，由该形成区域、和所述非晶硅膜加热熔融时蓄积热能的蓄积区域构成。

5.一种掩模，其经由投影透镜将以一定的排列节距呈矩阵状配置的掩模图案缩小投影，对与所述掩模图案对应的区域照射激光，其特征在于，

所述掩模图案是由：对按顺序层叠有栅电极、绝缘膜、非晶硅膜的被照射物，朝向所述非晶硅膜中的沟道区域的形成区域照射所述激光的第一图案、和朝向蓄积通过所述激光的照射而产生的热的蓄积区域照射所述激光的第二图案组合而成的。

6.根据权利要求5所述的掩模，其特征在于，所述投影透镜是多个微透镜。

7.根据权利要求5或6所述的掩模，其特征在于，所述掩模图案具有以在由所述栅电极的大小规定的可向所述非晶硅膜照射的区域的范围内、且与所述沟道区域的形成区域相邻并避开成为源电极和栅电极的下层的区域的方式照射所述激光的开口。