[发明专利]薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模，所述薄膜晶体管的制造方法包含对成膜于基板上的非晶硅膜(8)照射激光的处理，其包含：激光退火工序，对所述非晶硅膜(8)中包含沟道区域(52)的形成区域的区域照射所述激光，使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化，由此形成包含所述沟道区域(52)的多晶硅膜(9)；以及将所述多晶硅膜(9)中的所述沟道区域(52)以外的区域通过蚀刻除去的工序。由此，本发明即使在限定激光的照射条件的状况下，也能够进一步促进非晶硅膜(8)的再结晶化，能够进一步提高移动度。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，特别是涉及可以进一步提高薄膜晶体管中的沟道区域的电子移动度的薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

目前，在薄膜晶体管(Thin Film Transistor：下称“TFT”。)的制造工序中，例如，进行对成膜于基板的非晶硅膜照射激光，使其加热熔融并再结晶化的激光退火处理(例如，参照专利文献1)。由此，改性为电子移动度比非晶硅膜高的多晶硅膜被熟知。在专利文献1中，作为激光退火处理，为了提高沟道区域的电子移动度，仅对形成位于源电极和栅电极的电极间的沟道区域的非晶硅膜执行激光照射。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2009/081775号

发明所要解决的问题

但是，目前已知，就激光功率(能量密度[mJ/cm ²])和上述电极间的电子移动度(场效应移动度)的关系而言，例如，随着逐渐提高激光功率，电子移动度以规定的值达到峰值，当进一步对非晶硅膜照射高的激光功率的激光时，反而导致电子移动度的降低。但是，该峰值根据预先设定的激光的照射条件(例如激光的波长或脉冲实现的照射次数等其它参数)而不同。该电子移动度的降低例如起因于通过以比电子移动度成为峰值的激光功率高的激光功率照射激光，非晶硅膜受到损伤。

因此，在现有的激光退火处理中，从通过促进非晶硅膜的再结晶化而提高电子移动度的观点出发，不优选照射比电子移动度成为峰值的激光功率高的激光功率的激光。因此，具有因激光功率和电子移动度的关系而限定激光的照射条件的问题点。

发明内容

因此，对应这样的问题点，本发明所要解决的问题是提供一种薄膜晶体管的制造方法及用于该制造方法的掩模，即使在限定激光的照射条件的状况下，也能够进一步促进非晶硅膜的再结晶化，可以进一步提高电子移动度。

用于解决问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包含对成膜于基板上的非晶硅膜照射激光的处理，其中，包含：激光退火工序，对所述非晶硅膜中包含沟道区域的形成区域的区域照射所述激光，使包含所述形成区域的区域加热熔融使其再结晶化，由此形成包含所述沟道区域的多晶硅膜；以及将所述多晶硅膜中的、所述沟道区域以外的区域通过蚀刻除去的工序(除去工序)。

另外，本发明提供一种用于TFT的制造方法的掩模，其经由投影透镜将以一定的排列节距呈矩阵状配置的掩模图案缩小投影，对与所述掩模图案对应的区域照射激光，其中，所述掩模图案是由：对按顺序层叠有栅电极、绝缘膜、非晶硅膜的被照射物，朝向所述非晶硅膜中的沟道区域的形成区域照射所述激光的第一图案、和朝向蓄积通过所述激光的照射而产生的热的蓄积区域照射所述激光的第二图案组合而成的。

发明效果

根据本发明的TFT的制造方法，即使在限定激光的照射条件的状况下，也能够对包含沟道区域的形成区域的区域照射激光，因此，热容量相应增大，从而温度不易降低，能够促进沟道区域的再结晶化，进一步提高电子移动度。进而，沟道区域以外的多晶硅膜通过蚀刻除去，因此，可以不考虑在存在该多晶硅膜的情况下产生的对TFT的特性的影响。