[发明专利]混合并行串行存储器系统中的多序列冲突减少在审
申请号: | 201780016037.5 | 申请日: | 2017-02-09 |
公开(公告)号: | CN108713193A | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | D·T·全;Y·李;J·加法里;A·安萨里 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F13/16;G11C7/10;G06F12/10;G06F12/1081;G06F12/08;G06F12/06 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 张扬;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 串行存储器 存储器序列 第二存储器 虚拟存储器 并行访问 并行 存储器地址 分配存储器 计算机程序 空闲物理页 序列存储器 访问区域 序列冲突 映射 指派 提示 配置 访问 | ||
1.一种用于在混合并行/串行存储器系统中分配存储器的方法,所述方法包括:
以第一存储器序列中的专用串行访问区域和第二存储器序列中的专用并行访问区域,配置针对多序列存储器系统的存储器地址映射;
接收针对虚拟存储器页的请求;以及
如果所述请求包括性能提示,则将所述虚拟存储器页选择性地指派给所述第一存储器序列中的所述专用串行访问和所述第二存储器序列中的所述专用并行访问区域中的空闲物理页。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多序列存储器系统包括电耦合到片上系统(SoC)的多序列双列直插式存储器模块(DIMM)。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述多序列存储器系统包括动态随机访问存储器(DRAM)。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述串行访问包括高速串行扩展总线,并且所述并行访问包括双倍数据速率(DDR)总线。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述存储器地址映射包括在所述第一和第二存储器序列中的一个或多个中的额外的专用并行访问区域。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:
如果所述请求不包括所述性能提示,则将所述请求分配给所述额外的专用并行访问区域。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述虚拟存储器页选择性地指派给所述串行访问区域和所述并行访问区域中的所述空闲物理页包括:
确定所述专用串行访问区域和所述专用并行访问区域中的一个当前正被先前的请求访问;以及
将所述虚拟存储器页指派给所述专用串行访问区域和所述专用并行访问区域中的另一个中的所述空闲物理,以避免存储器冲突。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述性能提示包括内核标志。
9.一种用于在混合并行/串行存储器系统中分配存储器的系统,所述方法包括:
用于以第一存储器序列中的专用串行访问区域和第二存储器序列中的专用并行访问区域,配置针对多序列存储器系统的存储器地址映射的单元;
用于接收针对虚拟存储器页的请求的单元;以及
用于如果所述请求包括性能提示,则将所述虚拟存储器页选择性地指派给所述第一存储器序列中的所述专用串行访问和所述第二存储器序列中的所述专用并行访问区域中的空闲物理页的单元。
10.根据权利要求9所述的系统,其中,所述多序列存储器系统包括电耦合到片上系统(SoC)的多序列双列直插式存储器模块(DIMM)。
11.根据权利要求9所述的系统,其中,所述多序列存储器系统包括动态随机访问存储器(DRAM)。
12.根据权利要求9所述的系统,其中,所述串行访问包括高速串行扩展总线,并且所述并行访问包括双倍数据速率(DDR)总线。
13.根据权利要求9所述的系统,其中,所述存储器地址映射包括所述第一和第二存储器序列中的一个或多个中的额外的专用并行访问区域。
14.根据权利要求13所述的系统,还包括:
用于当所述请求不包括所述性能提示时将所述请求分配给所述额外的专用并行访问区域的单元。
15.根据权利要求9所述的系统,其中,用于将所述虚拟存储器页选择性地指派给所述串行访问区域和所述并行访问区域中的所述空闲物理页的单元包括:
用于确定所述专用串行访问区域和所述专用并行访问区域中的一个当前正被先前的请求访问的单元;以及
用于将所述虚拟存储器页指派给所述专用串行访问区域和所述专用并行访问区域中的另一个中的所述空闲物理,以避免存储器冲突的单元。
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