[发明专利]制造EUV投射曝光系统的照明系统的方法和照明系统

说明书

本发明涉及一种制造EUV系统的照明系统的方法，该方法包括以下步骤：将照明系统的反射镜模块安装在提供给反射镜模块的安装位置处，以便确立从源位置引导到照明场的照明束路径，其中该反射镜模块包括第一安装位置处具有第一分面反射镜的第一反射镜模块和照明系统的第二安装位置处具有第二分面反射镜的第二反射镜模块；在照明束路径的第一反射镜模块之前的输入耦合位置处将测量光耦合到照明束路径中；在测量光在照明束路径的反射镜模块中的每一个处反射之后，检测测量光；从检测的测量光来确定至少一个系统测量变量的实际测量值，其中实际测量值表示照明系统的系统测量变量的实际状态；通过使用灵敏度从实际测量值来确定校正值，该灵敏度表示系统测量变量和至少一个反射镜模块在其安装位置的情形的变化之间的关系；通过使用校正值调整至少一个反射镜模块，致使改变刚性主体的自由度上安装位置中的反射镜模块的情形，以便于改变实际状态使得在辐射进EUV辐射源的EUV辐射的情况下，照明场中的照明辐射满足照明规范。

相关申请的交叉引用

以下公开基于2016年3月10日提交的德国专利申请No.10 2016 203990.3。所述专利申请的全部公开内容通过引用并入本申请的上下文中。

技术领域

本发明涉及制造EUV设备的照明系统的方法并且涉及EUV设备的照明系统。EUV设备例如可以是EUV微光刻的投射曝光设备，或采用EUV辐射来检查EUV微光刻的掩模(掩模母版)的掩模检查设备。

光刻投射曝光方法当下主要用来制造半导体部件和其他精细结构的部件，诸如光刻的掩模。在这种情况下，使用掩模(掩模母版)或其他承载或形成待成像的结构的图案(例如半导体部件的层的线图案)的图案化装置。将图案定位在投射曝光设备中，在照明系统和投射镜头之间，位于投射镜头的物平面区域内，并且以由照明系统成形的照明辐射照明该图案。由图案修改的辐射行进通过投射镜头作为投射辐射，所述投射镜头以缩小比例将图案成像到待曝光的基板上。基板的表面布置在与物平面光学共轭的投射镜头的像平面中。基板一般涂有辐射敏感层(抗蚀剂、光刻胶)。

投射曝光设备的发展的目标之一是在基板上光刻地制造具有越来越小尺寸的结构，例如获得半导体部件的更大集成密度。一种方法在于使用更短波长的电磁辐射。作为示例，已经开发了这样的光学系统：其使用来自极紫外范围(EUV)(特别具有操作波长范围在5纳米(nm)至30nm之间、特别地为13.5nm)的电磁辐射。

例如从US 7 473 907 B2已知包括照明系统的EUV投射曝光设备。照明系统设计为接收EUV辐射源的EUV辐射，并且设计为使来自已接收的EUV辐射的至少一个部分的照明辐射成形。曝光操作期间将照明辐射指引到照明系统的出射平面中的照明场中，其中照明系统的出射平面和投射镜头的物平面有利地重合。照明辐射的特征在于特定的照明参数，并且将该照明辐射以限定角度入射在具有限定位置、形状和尺寸的照明场内的图案上。可以为等离子体源的EUV辐射源例如布置在与照明系统分离的源模块中，所述源模块在照明系统的入射平面中的源位置处生成次级辐射源。

布置在这里所考虑的类型的照明系统的外壳中的是多个反射镜模块，其各位于提供给反射镜模块的安装位置处的最终安装状态中。反射镜模块或反射镜模块的反射式反射镜表面限定从源位置延伸到照明场的照明束路径。反射镜模块包含第一安装位置处具有第一分面反射镜的第一反射镜模块和照明系统的第二安装位置处具有第二分面反射镜的第二反射镜模块。这种类型的反射镜模块具有用作承载件的主体，其上根据指定局部分布独立或成组安装具有反射式分面的分面元件。

如果第一分面反射镜的反射式分面坐落在与出射平面共轭的照明系统的场平面处或者在该场平面附近，该第一分面反射镜常常还称为“场分面反射镜”。对应地，如果第二分面反射镜的反射式分面坐落在相对于出射平面傅里叶变换的光瞳平面处或者在该光瞳平面附近，则第二分面反射镜还经常称为“光瞳分面反射镜”。

两个分面反射镜在EUV设备的照明系统中带来EUV辐射的均匀化或混合。