[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法

权利要求书

1.一种光电子器件(50)，其具有半导体本体(10a，10b，10c)，所述半导体本体具有光学有源区域(12)；所述光电子器件还具有载体(60)和连接层对(30a，30b，30c)，所述连接层对具有第一连接层(32)和第二连接层(34)，其中：

-所述半导体本体设置在所述载体上，

-所述第一连接层设置在所述半导体本体和所述载体之间并且与所述半导体本体连接，

-所述第二连接层设置在所述第一连接层和所述载体之间，

-选自所述第一连接层和所述第二连接层中的至少一个层包含透射辐射的且能导电的氧化物，

-所述第一连接层和所述第二连接层至少局部地在一个或多个连接区域中直接彼此连接，使得所述连接层对参与所述半导体本体到所述载体上的机械联接，并且

-所述第一连接层(32)和/或所述第二连接层(34)具有多个在相应的层之内彼此电绝缘的、能导电的子区域(80，82)，其中所述子区域中的至少两个子区域与所述半导体本体(10a，10b，10c)在光学有源区域(12)的不同侧上能导电地连接。

2.根据权利要求1所述的光电子器件，下述层中的所有层都包含透射辐射的且能导电的氧化物：第一连接层(32)、第二连接层(34)；和

下述层中的至少一个层或所有层都包含电绝缘的氧化物：第一连接层(32)、第二连接层(34)。

3.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述能导电的子区域(80，82)包含TCO材料或由其构成。

4.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述器件(50)具有连接导体(72，74，78)，所述连接导体在所述半导体本体(10a，10b，10c)之内延伸，并且其中所述连接导体在所述半导体本体之内与所述有源区域电绝缘并且在所述有源区域的至少一侧上也与所述半导体本体电绝缘。

5.根据权利要求4所述的光电子器件，其中至少两个所述能导电的子区域中的第一子区域(80)与所述半导体本体(10a，10b，10c)在所述有源区域的朝向所述连接层对(30a，30b，30c)的一侧上能导电地连接，并且至少两个所述子区域中的第二子区域(82)在所述光学有源区域(12)的背离所述连接层对的一侧上经由所述连接导体(72，74，78)能导电地与所述半导体本体连接。

6.根据权利要求4所述的光电子器件，其中所述连接导体(72，74)在所述连接层对(30a，30b，30c)的朝向所述半导体本体(10a，10b，10c)的一侧上与所述第一连接层的能导电的子区域能导电地连接，并且其中所述能导电的子区域和所述连接导体之间的接触面的面积小于所述能导电的子区域的朝向所述半导体本体的表面的面积。

7.根据权利要求4所述的光电子器件，其中所述连接导体(78)延伸经过所述连接层对(30a，30b，30c)，并且与所述连接层对电绝缘。

8.根据权利要求4所述的光电子器件，其中所述连接导体(72，74，78)延伸经过整个所述半导体本体(10a，10b，10c)。

9.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述第一连接层(32)和/或所述第二连接层(34)被结构化并且具有一个或多个气体填充的凹口，经由所述凹口将相应的所述连接层的至少两个所述能导电的子区域(80，82)彼此电绝缘。

10.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述第一连接层(32)和/或所述第二连接层(34)构成为杂化层，并且相应的杂化层具有一个或多个能导电的子区域(C)和一个或多个电绝缘的子区域(I)。

11.根据权利要求1或2所述的光电子器件，其中所述第一连接层(32)和/或所述第二连接层(34)在其延伸之上材料组分不改变。