[发明专利]微细图案形成用组合物以及使用其的微细图案形成方法

说明书

提供一种微细图案形成用组合物、以及使用其的微细图案形成方法，所述微细图案形成用组合物即使适用于厚膜抗蚀层，也使得图案形状良好，尺寸缩小率高，缺陷数少。[解决方案]一种组合物、以及使用其的微细图案形成方法，所述组合物包含乙烯基树脂、具有特定的笼型的立体结构的胺类化合物、以及溶剂。

技术领域

本发明涉及一种微细图案形成用组合物、以及使用该微细图案形成用组合物的图案形成方法，关于所述微细图案形成用组合物，在半导体制造工艺中，在形成抗蚀图案时，通过将已经形成的抗蚀图案间的分离尺寸或者图案开口尺寸进行缩小，从而可形成更微细的图案。

背景技术

在半导体器件的领域，人们期望着将制品进行小型化、薄型化、以及轻型化。应对于这一期望，正在研讨着半导体器件的高集成化和高精细化。在半导体器件的制造中，通常利用光刻技术而形成微细图案，将所形成的抗蚀图案设为掩模，对于成为基底的各种基板，进行蚀刻、离子掺杂、以及使用电镀法的金属配线的形成。由此，为了将适用于半导体器件的配线等进行微细化，改善在抗蚀图案形成中使用的光刻技术是非常有效的。

此处，光刻技术通常由抗蚀剂涂布、掩模、曝光、以及显影等各个工序的组合构成。一般而言，为了获得微细的图案，优选利用短波长光进行曝光。然而，这样的短波长光的光源是非常昂贵的，从制造成本的观点考虑不优选。此外，在利用了以往的曝光方法的光刻技术中，难以形成超过曝光波长的波长极限的微细抗蚀图案。

由此，深入研究了如下的方法：其无需使用这样的昂贵的装置，另外，使用以往公知的正型或者负型感光性树脂组合物，使用以往公知的图案形成装置而形成抗蚀图案，将所形成的抗蚀图案有效地进行微细化。而且，作为将抗蚀图案有效地进行微细化的方法之一，提出了有效地形成分辨极限以下的微细抗蚀图案的如下方法。即，使用公知的感光性树脂组合物例如化学放大型光致抗蚀感光性树脂组合物，利用以往的方法进行图案形成，然后在所形成的抗蚀图案上，施加由包含水溶性树脂的微细图案形成用组合物形成的被覆层，将抗蚀图案进行加热等，从而在被覆层与抗蚀图案之间形成混合层，其后通过将被覆层的一部分去除从而使抗蚀图案变粗，作为结果，抗蚀图案间的宽度变小，使得抗蚀图案的分离尺寸或者空穴开口尺寸缩小从而谋求抗蚀图案的微细化。

例如，专利文献1公开了一种抗蚀图案的微细化方法，其中，使用包含乙烯基树脂与胺类化合物的组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-275995号公报

发明内容

发明想要解决的课题

为了一方面要求抗蚀图案的微细化，另一方面应对于高能量的离子注入等，因而正在要求开发出一种更厚、深宽比(aspect ratio)高的抗蚀图案。本发明人等发现了，在厚膜的抗蚀图案的情况下，存在有与薄膜的抗蚀图案不同的课题，例如，引起抗蚀图案的溶解，或者不易均匀地微细化等。由此，人们期望开发出一种微细图案形成用组合物，其可适用于厚膜抗蚀层，并且施加后的图案形状良好，尺寸缩小率高，缺陷数少。

本发明基于上述的情形而完成，提供一种微细图案形成用组合物、以及使用其的微细图案形成方法，所述微细图案形成用组合物即使适用于厚膜抗蚀层，也使得图案形状良好，尺寸缩小率高，缺陷数少。本发明进一步提供一种元件，其包含利用该微细图案形成方法形成出的微细的图案并具有优异的特性。

用于解决课题的方案

关于本发明的组合物，其特征在于，包含乙烯基树脂、由以下的式(I)表示的胺类化合物、以及溶剂，

【化学式1】

式中，