[发明专利]基座支撑件

说明书

本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。

背景

技术领域

本文公开用于半导体处理的设备。更具体而言，本文中公开的实施方式涉及一种用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。

背景技术

在集成电路的制造中，诸如化学气相沉积(CVD)或外延工艺的沉积工艺被用于在半导体基板上沉积各种材料的膜。外延是在半导体处理中广泛使用以在半导体基板上形成非常薄的材料层的工艺。这些层经常限定半导体装置的一些最小的特征，并且如果需要晶体材料的电特性，那么这些层可具有高品质的晶体结构。通常将沉积前驱物提供至设置有基板的工艺腔室，所述基板被加热到有利于具有特定性质的材料层生长的温度。

传统地，基板设置在基座上，并且基座由三个或更多个臂支撑，这些臂从轴杆延伸。诸如灯的多个能量源可设置在基板下方以加热基板的背侧。基座通常用于将来自能量源的辐射中的任何不均匀性分散出去。来自能量源的辐射被基座支撑臂阻挡，导致基座无法充分地去除不均匀性，造成基板的不均匀加热。

因此，需要用于支撑基座的改进的设备。

发明内容

本文公开的实施方式涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。在一个实施方式中，一种设备包括轴杆和板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面。板包含石英、熔融石英、氧化铝、蓝宝石或氧化钇，并且所述板具有范围是从约2mm至约20mm的厚度。所述设备进一步包括支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。

在另一个实施方式中，一种设备包括轴杆和板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面。板包含石英、熔融石英、氧化铝、蓝宝石或氧化钇。所述设备进一步包括支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸，并且所述支撑元件具有范围是从约30mm至约60mm的高度。

在另一个实施方式中，工艺腔室包括第一外壳构件、第二外壳构件和基座支撑件。基座支撑件的至少一部分设置在第一外壳构件和第二外壳构件之间。基座支撑件包括轴杆和板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面。板包含石英、熔融石英、氧化铝、蓝宝石或氧化钇，并且所述板具有范围是从约2mm至约20mm的厚度。所述设备进一步包括支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述工艺腔室进一步包括多个能量源，这些能量源面向第二外壳构件设置。

附图说明

为了使本公开内容的上述特征可被详细理解，以上简要总结的本公开内容的更具体描述可参考实施方式，其中一些实施方式在附图中图示。然而应注意到，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，因此不被认为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实施方式。

图1是根据本文描述的一个实施方式的工艺腔室的示意性横截面图。

图2A是根据本文描述的一个实施方式的基座支撑件的透视图。

图2B是图2A的基座支撑件的示意性横截面图。

图2C是根据本文描述的一个实施方式的支撑元件的示意性横截面图。

图2D是根据本文描述的一个实施方式的支撑元件的示意性横截面图。

图2E是根据本文描述的一个实施方式的支撑元件的示意性横截面图。

图3A是根据本文描述的另一个实施方式的基座支撑件的透视图。

图3B是根据本文描述的另一个实施方式的基座支撑件的透视图。