[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

权利要求书

1.能量射线固化性膜在制造半导体芯片的背面保护膜形成用膜中的应用，其中，

所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜用于制造收纳于压纹载带的口袋中的带保护膜的半导体芯片，

将所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面，照射能量射线使所述背面保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，然后通过切割，将所述半导体晶圆与保护膜一同分割，制造所述带保护膜的半导体芯片；或者将所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面后，通过切割，将所述半导体晶圆与所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜一同分割，然后通过照射能量射线使所述背面保护膜形成用膜固化，制造所述带保护膜的半导体芯片，

在照射所述能量射线而使所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为10¹²Ω·cm以下。

2.根据权利要求1所述的应用，其中，所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜包含抗静电剂。

3.根据权利要求2所述的应用，其中，所述抗静电剂为选自由阴离子表面活性剂类抗静电剂、阳离子表面活性剂类抗静电剂、两性离子表面活性剂类抗静电剂及非离子表面活性剂类抗静电剂组成的组中的至少一种。

4.根据权利要求2或3所述的应用，其中，所述抗静电剂为碱金属盐类。

5.根据权利要求2或3所述的应用，其中，所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜进一步含有能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，

在所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜中，相对于所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总质量，含有6～20质量％的所述抗静电剂。

6.根据权利要求4所述的应用，其中，所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜进一步含有能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，

在所述半导体芯片的背面保护膜形成用膜中，相对于所述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总质量，含有6～20质量％的所述抗静电剂。

7.能量射线固化性膜及支撑片在制造半导体芯片的背面保护膜形成用复合片中的应用，其中，

在所述支撑片上具备所述能量射线固化性膜，

所述半导体芯片的背面保护膜形成用复合片用于制造收纳于压纹载带的口袋中的带保护膜的半导体芯片，

将所述能量射线固化性膜贴附于半导体晶圆的背面，照射能量射线使所述能量射线固化性膜固化从而制成保护膜，然后通过切割，将所述半导体晶圆与保护膜一同分割，制造所述带保护膜的半导体芯片；或者将所述能量射线固化性膜贴附于半导体晶圆的背面后，通过切割，将所述半导体晶圆与所述能量射线固化性膜一同分割，然后通过照射能量射线使所述能量射线固化性膜固化，制造所述带保护膜的半导体芯片，

在照射所述能量射线而使所述能量射线固化性膜固化时，表面电阻率为10¹²Ω·cm以下。