[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

说明书

本发明提供可防止半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为10¹²Ω·cm以下。所述保护膜形成用膜优选含有抗静电剂，所述抗静电剂优选为选自由阴离子表面活性剂类抗静电剂、阳离子表面活性剂类抗静电剂、非离子表面活性剂类抗静电剂、两性离子表面活性剂类抗静电剂及非离子表面活性剂类抗静电剂组成的组中的至少一种。

技术领域

本发明涉及保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。

本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-092101号主张优先权，并将其内容援用于此。

背景技术

近年来，正在进行着应用了所谓的被称作倒装(face down)方式的安装法的半导体装置的制造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与基板接合。因此，半导体芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。

在该露出的半导体芯片的背面形成有作为保护膜的包含有机材料的树脂膜，有时将其作为带保护膜的半导体芯片而装入半导体装置。为了防止在切割工序或封装后在半导体芯片上产生裂纹从而利用保护膜。

为了形成这样的保护膜，例如使用一种在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜可通过固化而形成保护膜。此外，还可将支撑片用作切割片，可制成保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。

作为这样的保护膜形成用复合片，例如迄今为止主要使用了具备通过加热而进行固化并由此形成保护膜的热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片。此时，例如利用热固化性的保护膜形成用膜将保护膜形成用复合片贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面相反侧的面)。然后，通过加热使保护膜形成用膜固化从而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆与保护膜一同分割从而制成半导体芯片(参照专利文献1、专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5144433号公报

专利文献2：日本特开2010-031183号公报

图7表示将以往的半导体芯片在压纹载带中封入卷盘的状态的剖面示意图。通过切割半导体芯片(省略图示)而分割得到的带保护膜的半导体芯片101被逐个拾取。然后，被收纳于连续设置有多个凹陷部分(口袋102a)的包装用膜(压纹载带102)的口袋102a中，以在所述压纹载带102上贴附盖带103(封入卷盘)的状态送出而搬运至下个工序。在下个工序中，将收纳有带保护膜的半导体芯片101的压纹载带102的盖带103剥离，并取出收纳于口袋102a的带保护膜的半导体芯片101，进而供于后续的工序。

发明内容

本发明要解决的技术问题

然而，有时保护膜因在切割工序中与半导体晶圆一同被分割时的摩擦等而产生静电，收纳于压纹载带102的带保护膜的半导体芯片101带电。若带保护膜的半导体芯片101带电，则在为了取出收纳于压纹载带102的口袋102a的带保护膜的半导体芯片101而剥离压纹载带102的盖带103时，带保护膜的半导体芯片101附着在剥离的盖带103上。因此，带保护膜的半导体芯片101与剥离的盖带103被一起从模压载带102上去除。其结果，存在产生无法顺利地搬运至下个工序的不良情况、或灰尘等异物因静电而附着在半导体芯片上等不良情况的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的发明。即，其目的在于提供一种即使将进行了切割并拾取的带保护膜的半导体芯片收纳包装(封入卷盘)在压纹载带中，也能够防止收纳在其中的带保护膜的半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。

解决技术问题的技术手段