[发明专利]固态摄像装置有效
申请号: | 201780018909.1 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN108886047B | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 田中晴美;桝田佳明;宫泽信二;石田実 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01N21/64;G01N21/78;H04N5/369 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚鹏;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 装置 | ||
本发明涉及能够更紧凑的固态摄像装置。该固态摄像装置通过层叠第一结构体和第二结构体而形成,第一结构体处形成有像素阵列单元,在像素阵列单元中用于执行光电转换的像素二维排列,第二结构体形成有用于将从像素输出的像素信号输出到该装置的外部的输出电路单元。输出电路单元、穿过构成第二结构体的一部分的半导体基板的贯通孔、以及连接到该装置的外部的外部信号输出端子位于第一结构体的像素阵列单元的下方。输出电路单元经由贯通孔连接到外部信号输出端子。该装置的最外表面是形成在像素阵列单元的片上透镜的顶层上的树脂层。例如,可采用本技术作为嵌入到可穿戴产品等中的固态摄像装置。
技术领域
本发明涉及固态摄像装置,更具体地,涉及能够进一步减小设备尺 寸的固态摄像装置。
背景技术
现已提出将多个半导体基板层叠的构造等,以进一步减小诸如互补 金属氧化物半导体(CMOS:complementary metal oxide semiconductor) 图像传感器等固态摄像装置的尺寸(例如,参见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1:日本专利申请特开2014-72294号公报
发明内容
本发明要解决的问题
随着固态摄像装置的尺寸减小,相对于装置的平面尺寸而言,用于 获取输出信号的终端单元占据的面积变大,从而使小型化困难。
本发明是鉴于这种情况而作出的,能够进一步减小装置的尺寸。
解决问题的方案
根据本技术的第一方面的固态摄像装置是通过层叠第一结构体和第 二结构体而构成的,在第一结构体处形成有像素阵列单元,在像素阵列 单元中用于执行光电转换的像素二维地排列,在第二结构体处形成有输 出电路单元,输出电路单元用于将从像素输出的像素信号输出到装置的 外部,其中,输出电路单元、穿过构成第二结构体的一部分的半导体基 板的贯通孔、以及连接到装置外部的信号输出外部端子布置在第一结构 体的像素阵列单元的下方,输出电路单元通过贯通孔连接到信号输出外 部端子,并且装置的最外表面是形成在像素阵列单元的片上透镜的上层 上的树脂层。
根据本技术的第一方面,将第一结构体和第二结构体层叠来构造, 在第一结构体处形成有像素阵列单元,在像素阵列单元中用于执行光电 转换的像素二维地排列,在第二结构体处形成有输出电路单元,输出电 路单元用于将从像素输出的像素信号输出到装置的外部,输出电路单元、 穿过构成第二结构体的一部分的半导体基板的贯通孔、以及连接到装置 外部的信号输出外部端子布置在第一结构体的像素阵列单元的下方,输 出电路单元通过贯通孔连接到信号输出外部端子,并且装置的最外表面 是形成在像素阵列单元的片上透镜的上层上的树脂层。
根据本技术的第二方面的固态摄像装置是通过层叠第一结构体和第 二结构体而构成的,在第一结构体处形成有像素阵列单元,在像素阵列 单元中用于执行光电转换的像素二维地排列,在第二结构体处形成有输 出电路单元,输出电路单元用于将从像素输出的像素信号输出到装置的 外部,其中,输出电路单元、穿过构成第二结构体的一部分的半导体基 板的贯通孔、以及连接到装置外部的信号输出外部端子布置在第一结构 体的像素阵列单元的下方,输出电路单元通过贯通孔连接到信号输出外 部端子,并且装置的最外表面是形成在像素阵列单元的片上透镜的表面 上的抗反射膜。
根据本技术的第二方面,将第一结构体和第二结构体层叠来构造, 在第一结构体处形成有像素阵列单元,在像素阵列单元中用于执行光电 转换的像素二维地排列,在第二结构体处形成有输出电路单元,输出电 路单元用于将从像素输出的像素信号输出到装置的外部,输出电路单元、 穿过构成第二结构体的一部分的半导体基板的贯通孔、以及连接到装置 外部的信号输出外部端子布置在第一结构体的像素阵列单元的下方,输 出电路单元通过贯通孔连接到信号输出外部端子,并且装置的最外表面 是形成在像素阵列单元的片上透镜的表面上的抗反射膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的