[发明专利]半导体加工用片有效
| 申请号： | 201780020092.1 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109005665B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 铃木英明;仲秋夏树;土山彩香;佐藤明德 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/20 | 分类号： | C09J7/20;C09J201/00;H01L21/683;B32B27/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：
将所述粘合剂层的厚度设为200μm时，所述厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，并且
将所述半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，所述粘合剂层对所述镜面的粘合力为200mN/25mm以下，
所述粘合剂层为非能量线固化性，
所述储能模量如下求出：将粘合剂层的厚度设为200μm时，通过动态粘弹性测定装置，测定在升温速度10℃/分、频率11Hz、温度-50～50℃的条件下升温时的在0℃的储能模量，
所述粘合力按照以下的方法测定：制作宽度为25mm、长度任意的上述半导体加工用片，接着，在常温下通过粘合剂层将该半导体加工用片贴附于半导体晶片、即半导体晶片的镜面，然后，在该温度状态下，进行将半导体加工用片以粘合剂层及半导体晶片彼此接触的面彼此成为180°的角度的方式、以剥离速度300mm/分从半导体晶片剥离的所谓180°剥离，测定此时的剥离力，将其测定值作为上述粘合力。
2.根据权利要求1所述的半导体加工用片，其在所述粘合剂层上进一步具备膜状粘接剂而成。
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