[发明专利]半导体加工用片

说明书

一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：将该粘合剂层的厚度设为200μm时，该厚度200μm的粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，并且将该半导体加工用片贴附于半导体晶片的镜面时，该粘合剂层对该镜面的粘合力为200mN/25mm以下。

技术领域

本发明涉及半导体加工用片。

本申请基于2016年3月30日在日本申请的日本特愿2016-069603号主张优先权，将其内容援引至其中。

背景技术

切割片是在通过切割将半导体晶片单片化为半导体芯片时使用的。切割片例如在基材上具备粘合剂层而构成，并利用上述粘合剂层贴附于半导体晶片而使用。切割后，例如，通过基于紫外线等能量线的照射进行固化而降低上述粘合剂层的粘合力，由此将半导体芯片从固化后的粘合剂层剥离，容易拾取。

另一方面，拾取后的半导体芯片例如通过膜状粘接剂芯片接合于基板的电路面，根据需要在该半导体芯片上进一步层叠1个以上其它半导体芯片，引线接合后，利用将整体密封。

使用这样得到的半导体封装体，最终制造目标半导体装置。因此，有时使半导体芯片在成为其芯片接合对象的面具备膜状粘接剂的状态下拾取的方式来构成。

这样使用膜状粘接剂的情况下，有时使用在上述切割片的粘合剂层上设置有未切断的膜状粘接剂的切割芯片接合片。另一方面，有时在膜状粘接剂上预先设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，该情况下，也使用具有与切割芯片接合片同样的构成的加工用片。使用这样的加工用片的情况下，例如，在其膜状粘接剂上预先设置预先进行了单片化的多个半导体芯片，在低温下将加工用片扩片，由此使膜状粘接剂与半导体芯片的外形相适应而切断，制造在目标面具备切断后的膜状粘接剂的半导体芯片。

作为适于这样通过扩片将膜状粘接剂切断的加工用片(晶片加工用带)，例如公开了粘合剂层与膜状粘接剂(粘接剂层)在25℃下的剪切力为0.2N/mm²以上、在200mJ/cm²的能量线照射后的依据JIS-Z0237的标准状态下的剥离速度300mm/分钟、剥离角度180°下的上述粘合剂层与上述膜状粘接剂的剥离力为0.3N/25mm以下的加工用片(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2013/103116号

发明内容

发明所要解决的问题

但是，专利文献1中公开的加工用片存在使用时需要能量线照射的问题。对于该加工用片而言，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，为了抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散，设计为能量线照射前的粘合剂层的粘合力较高，另一方面，为了使具备膜状粘接剂的半导体芯片的拾取容易，设计为能量线照射后的粘合剂层的粘合力较低。

因此，本发明的目标在于提供一种半导体加工用片，其为在基材上具备粘合剂层的构成，且为在切断贴附于半导体芯片的膜状粘接剂时使用的半导体加工用片，使用时不需要能量线照射，在通过扩片而切断膜状粘接剂时，能够抑制具备膜状粘接剂的半导体芯片自粘合剂层鼓起、飞散，能够容易地拾取具备膜状粘接剂的半导体芯片。

解决问题的方法

为了解决上述问题，本发明提供一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，厚度为200μm的上述粘合剂层在0℃的储能模量为1000MPa以下，上述粘合剂层对半导体晶片的镜面的粘合力为200mN/25mm以下。

本发明的半导体加工用片中，优选上述粘合剂层为非能量线固化性。

本发明的半导体加工用片可以在上述粘合剂层上进一步具备膜状粘接剂而成。

[1]一种半导体加工用片，其在基材上具备粘合剂层，且具有以下特性：