[发明专利]基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种基片液处理方法，在积存了蚀刻液的处理槽和外槽之间形成了循环流路，在所述循环流路中设置有泵和加热器，通过使基片浸渍在所述处理槽中来使形成有覆膜的基片的表面与用于除去所述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理，其中，所述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，

所述基片液处理方法的特征在于，包括：

第一覆膜除去步骤，驱动所述泵以使所述蚀刻液在所述循环流路中循环，并且驱动所述加热器对蚀刻液进行加热，使积存在所述处理槽中的所述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去所述凹部外部的所述覆膜；和

第二覆膜除去步骤，使积存在所述处理槽中的所述蚀刻液从第一温度成为第二温度以使得成为比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并除去所述凹部外部的所述覆膜。

2.如权利要求1所述的基片液处理方法，其特征在于：

在所述第一覆膜除去步骤和所述第二覆膜除去步骤中被除去的所述覆膜的量中，在所述第一覆膜除去步骤中被除去的所述覆膜的量较多。

3.如权利要求1或2所述的基片液处理方法，其特征在于：

使所述第二温度在第二处理时间的经过期间连续或者阶梯地降低。

4.如权利要求1或2所述的基片液处理方法，其特征在于：

在所述第二覆膜除去步骤中，将所述凹部外部的覆膜全部除去。

5.如权利要求1或2所述的基片液处理方法，其特征在于：

检测对所述基片进行蚀刻处理中的大气压，

根据检测到的大气压来修正所述蚀刻液的温度，以使得与在预先设定的大气压时被除去的所述覆膜的量相同。

6.一种基片液处理装置，其通过使基片浸渍在积存了蚀刻液的处理槽中来使形成有覆膜的基片的表面与用于除去所述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理，其中，所述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，

所述基片液处理装置的特征在于，包括：

蚀刻液供给部，其在积存了蚀刻液的处理槽和外槽之间形成了循环流路，在所述循环流路中设置有泵和加热器，为了除去覆盖所述凹部外部的所述覆膜的一部分，而向所述基片的表面供给所述蚀刻液；和

控制所述蚀刻液供给部的控制部，

所述控制部，控制蚀刻液供给部，驱动所述泵以使所述蚀刻液在所述循环流路中循环，并且驱动所述加热器对蚀刻液进行加热，使从所述蚀刻液供给部积存在所述处理槽中向所述基片的表面供给的所述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去所述凹部外部的所述覆膜，接着，控制蚀刻液供给部，使积存在所述处理槽中的所述蚀刻液从第一温度成为第二温度以使得成为比所述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并除去所述凹部外部的所述覆膜。

7.如权利要求6所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述控制部进行控制，以使得在所述第一处理时间中被除去的所述覆膜的量多于在所述第二处理时间中被除去的所述覆膜的量。

8.如权利要求6或7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述控制部进行控制，以使得所述蚀刻液供给部的所述第二温度在第二处理时间的经过期间连续或者阶梯地变低。

9.如权利要求6或7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述控制部进行控制，以使得在所述第二处理时间中留下所述凹部内部的所述覆膜并将所述凹部外部的覆膜全部除去。

10.如权利要求6或7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述控制部能够获取并检测来自所述蚀刻液的温度检测部和大气压检测部的信号，根据检测到的大气压对从所述蚀刻液供给部供给的所述蚀刻液的温度进行修正，以使得与在获取并检测到的大气压为预先设定的大气压时被除去的所述覆膜的量相同。

11.一种存储有程序的存储介质，其特征在于：

所述程序在由用于控制基片液处理装置的动作的计算机执行时，所述计算机控制所述基片液处理装置来执行权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法。