[发明专利]基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质

说明书

本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜，精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，上述基片液处理方法包括：第一覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜；和第二覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。

技术领域

本发明涉及使用处理液对基片进行液处理的基片液处理装置、基片液处理方法和存储有基片液处理程序的计算机可读存储介质。

背景技术

在制造半导体部件或者平板显示器时，使用基片液处理装置对半导体晶片或者液晶基片等基片使用蚀刻液等处理液来实施蚀刻等处理。

例如，已知一种技术，其在半导体器件的制造步骤中，在基片表面的绝缘膜形成接触孔(凹部)，在凹部内和凹部外的绝缘膜上堆积覆膜(例如，钨等金属层)之后，使蚀刻液(例如，磷酸、硝酸、乙酸等混合而成的蚀刻液)成为金属层的蚀刻速率较高的温度(70℃以上)来对凹部外的金属层进行蚀刻(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009－266984号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

此时，希望以尽可能不蚀刻凹部内的金属层，并且尽可能使凹部外的金属层的残膜较薄，或者在凹部外不留下金属层的方式在短时间内进行液处理。

但是，在现有的湿蚀刻方法中，利用蚀刻率高的温度的蚀刻液进行处理时，能够短时间除去金属层，但是，存在凹部的金属层也被蚀刻的问题。

用于解决技术问题的技术方案

因此，在本发明中，提供一种基片液处理方法，其使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，

上述基片液处理方法的特征在于，包括：

第一覆膜除去步骤，使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜；和

第二覆膜除去步骤，使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。

另外，在本发明中，提供一种基片液处理装置，其使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，

上述基片液处理装置的特征在于，包括：

蚀刻液供给部，其为了除去覆盖上述凹部外部的上述覆膜的一部分，而向上述基片的表面供给上述蚀刻液；和

控制上述蚀刻液供给部的控制部，

上述控制部，控制蚀刻液供给部，使从上述蚀刻液供给部向上述基片的表面供给的上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜，接着，控制蚀刻液供给部，使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。

发明效果

本发明能够留下基片的凹部内的覆膜，对凹部外的覆膜精度良好地进行蚀刻。

附图说明

图1是表示基片液处理装置的平面说明图。