[发明专利]盒体、半导体装置、盒体的制造方法有效
申请号: | 201780021592.7 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN108886029B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 藤野伸一;久保木誉;川井胜 | 申请(专利权)人: | 日立安斯泰莫株式会社 |
主分类号: | H01L23/34 | 分类号: | H01L23/34;H05K7/20 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 盒体 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种盒体,其内部供半导体电路插入,该盒体的特征在于,具备:
散热部,其在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面;
薄壁部,其形成为围绕所述接触面,而且形成得比所述散热部薄;
开口部,其形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的面上,以及
下凹部,其形成于所述薄壁部与所述散热部之间,而且相对于所述接触面而言下凹,
所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间,
所述下凹部为阶差部,所述阶差部形成在所述散热部的外周而且形成在连接部处,所述连接部连接与所述开口部连接的所述薄壁部和所述散热部。
2.根据权利要求1所述的盒体,其特征在于,
所述开口部具有第1开口部及第2开口部,所述第1开口部及第2开口部分别形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的一对面上。
3.根据权利要求1或2所述的盒体,其特征在于,
所述半导体电路为平板状,
所述散热部具备与所述半导体电路的第1面接触的第1接触面以及与所述半导体电路的第2面接触的第2接触面,
所述薄壁部具备形成为围绕所述第1接触面的第1薄壁部以及形成为围绕所述第2接触面的第2薄壁部,
所述下凹部具备:形成于所述第1薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述第1接触面而言下凹的第1下凹部;以及形成于所述第2薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述第2接触面而言下凹的第2下凹部。
4.根据权利要求3所述的盒体,其特征在于,
所述散热部在所述第1接触面的相反面具备多个第1散热片组,所述第1散热片组的顶端所形成的假想面与所述第1接触面平行,
所述散热部在所述第2接触面的相反面具备多个第2散热片组,所述第2散热片组的顶端所形成的假想面与所述第2接触面平行。
5.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体电路,其具有半导体元件;以及
盒体,其收纳所述半导体电路,
所述盒体具备:
散热部,其具有与所述半导体电路接触的接触面;
薄壁部,其形成为围绕所述接触面,而且形成得比所述散热部薄;
开口部,其形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的面上,以及
下凹部,其形成于所述薄壁部与所述散热部之间,而且相对于所述接触面而言下凹,
所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间,
所述下凹部为阶差部,所述阶差部形成在所述散热部的外周而且形成在连接部处,所述连接部连接与所述开口部连接的所述薄壁部和所述散热部。
6.一种盒体的制造方法,所述盒体的内部供半导体电路插入,该盒体的制造方法的特征在于,
在所述盒体上分别形成散热部、薄壁部、开口部及下凹部,所述散热部在内侧具有与所述半导体电路接触的接触面,所述薄壁部形成为围绕所述接触面而且形成得比所述散热部薄,所述开口部形成于与形成有所述散热部及所述薄壁部的面垂直的面上,所述下凹部形成于所述薄壁部与所述散热部之间而且相对于所述接触面而言下凹,所述散热部、薄壁部及下凹部的形成方式为所述下凹部的内侧的面在所述盒体的厚度方向上配置在所述接触面与所述薄壁部的内侧的面之间,所述下凹部为阶差部,所述阶差部形成在所述散热部的外周而且形成在连接部处,所述连接部连接与所述开口部连接的所述薄壁部和所述散热部,
在利用固定在所述下凹部上的夹具支承所述盒体的状态下对所述盒体的所述接触面进行切削加工。
7.根据权利要求6所述的盒体的制造方法,其特征在于,
所述散热部在外侧具备多个散热片,
以由所述多个散热片的顶端形成的假想面与所述接触面平行的方式进行切削加工。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立安斯泰莫株式会社,未经日立安斯泰莫株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780021592.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。