[发明专利]异常探测系统和控制板有效
申请号: | 201780021606.5 | 申请日: | 2017-03-15 |
公开(公告)号: | CN108884566B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 广瀬胜人;长谷川敏夫;吉田昌平;篠原猛;川崎真司 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;G05B23/02;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异常 探测 系统 控制板 | ||
1.一种异常探测系统,具有:第一控制器,其控制基板处理装置;以及第二控制器,其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制,所述异常探测系统探测所述设备的异常,
其中,所述第二控制器具有存储部,所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号,并累积所收集到的该设备的状态信号,
所述第一控制器具有异常判定部,所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号,基于获取到的所述设备的状态信号判定所述设备有无异常,
其中,所述规定的周期为200ms~800ms,所述规定时间为50ms~100ms,所述规定的采样间隔为300μs~1ms。
2.根据权利要求1所述的异常探测系统,其特征在于,
所述设备为设置于所述基板处理装置的高频电源和匹配器中的至少任一方,
所述存储部累积以下状态信号中的至少一个:向所述高频电源发送的指令信号的数量、针对该指令信号的确认信号的数量、所述高频电源输出的高频的行波的电力的信号、所述高频的反射波的电力的信号、所述高频的行波的电压的信号、所述匹配器的匹配位置的信号、表示所述高频的行波的电力的累计值的信号、表示向所述高频电源发送的指令信号与针对该指令信号的确认信号的上升沿的延迟时间的信号以及表示向所述高频电源发送的指令信号与针对该指令信号的确认信号的下降沿的延迟时间的信号。
3.根据权利要求2所述的异常探测系统,其特征在于,
所述异常判定部基于所述高频的行波的电力的信号、所述高频的反射波的电力的信号、所述高频的行波的电压的信号及所述匹配器的匹配位置的信号中的各个信号的峰值、中央值和平均值以及所述高频的行波的电力的累计值的信号所表示的电力累计值中的至少一个来判定所述高频电源有无异常。
4.根据权利要求2所述的异常探测系统,其特征在于,
所述异常判定部基于向所述高频电源发送的指令信号的数量和针对该指令信号的确认信号的数量中的至少任一个来判定有无所述高频电源的异常、所述匹配器的异常或该高频电源与该匹配器之间的配线的异常。
5.根据权利要求2所述的异常探测系统,其特征在于,
所述异常判定部基于向所述高频电源发送的指令信号与针对该指令信号的确认信号的上升沿的延迟时间的信号所表示的延迟时间以及向所述高频电源发送的指令信号与针对该指令信号的确认信号的下降沿的延迟时间的信号所表示的延迟时间中的至少任一个,来判定有无所述高频电源的异常或所述匹配器的异常。
6.根据权利要求1所述的异常探测系统,其特征在于,
所述异常探测系统具有日志存储部,在所述异常判定部判定为所述设备存在异常的情况下,所述日志存储部存储该设备的状态信号的日志信息。
7.根据权利要求1所述的异常探测系统,其特征在于,
所述基板处理装置为通过原子层沉积法对基板进行成膜处理的原子层沉积装置。
8.一种控制板,与基于设置于基板处理装置的设备的状态信号来判定所述设备有无异常的第一控制器连接,所述控制板控制所述设备,所述控制板具有:
存储部,其在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号,并累积所收集到的该设备的状态信号;以及
通信部,其响应于所述第一控制器以所述规定时间以上的时间间隔发送的轮询,发送所累积的所述设备的状态信号,
其中,所述规定的周期为200ms~800ms,所述规定时间为50ms~100ms,所述规定的采样间隔为300μs~1ms。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的