[发明专利]异常探测系统和控制板

说明书

提供一种异常探测系统，所述异常探测系统具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号来判定所述设备有无异常。

技术领域

本发明涉及一种异常探测系统和控制板。

背景技术

例如，在专利文献1中公开了如下一种控制器：基于对设置于等离子体装置的多个阀的开闭动作进行指示的多个指令信号、用于检测多个阀的开闭动作的多个传感器的多个检测信号来掌握多个阀的动作状态。

在等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)装置中，以分钟单位的周期进行等离子体控制。相对于此，控制等离子体CVD装置的控制器以100ms单位的周期探测安装于等离子体CVD装置的高频电源(以下也称作“RF电源”。)、阀等设备的状态信号。即，控制器以100ms单位的周期对传感器、RF电源进行轮询(polling)。

专利文献1：日本特开2013-168131号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在针对交替地向处理容器内供给原料气体和反应气体来逐层形成原子水平或分子水平的厚度的薄膜的等离子体ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)装置的控制中，以10ms单位的周期进行等离子体控制。

因而，当以现有的100ms单位的周期对传感器、RF电源的IO(Input/Output：输入/输出)信号进行控制时，有时难以准确地掌握设置于等离子体ALD装置的阀等设备的状态，使得难以恰当地进行工艺的控制。

针对上述问题，在一个方面，本发明的目的在于高精度地探测设置于基板处理装置的设备的状态。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种异常探测系统，具有：第一控制器，其控制基板处理装置；以及第二控制器，其按照该第一控制器的指示来对设置于所述基板处理装置的设备进行控制，所述异常探测系统探测所述设备的异常，其中，所述第二控制器具有存储部，所述存储部在规定的周期中的规定时间内以规定的采样间隔收集所述设备的状态信号，并累积所收集到的该设备的状态信号，所述第一控制器具有异常判定部，所述异常判定部以所述规定时间以上的时间间隔从所述第二控制器获取累积的所述设备的状态信号，基于获取到的所述设备的状态信号判定所述设备有无异常。

发明的效果

根据一个方面，能够高精度地探测设置于基板处理装置的设备的状态。

附图说明

图1是表示一个实施方式所涉及的基板处理系统的控制系统的一例的图。

图2是表示一个实施方式所涉及的基板处理装置、MC(module controller：模块控制器)和I/O板的硬件结构的一例的图。

图3是表示一个实施方式所涉及的MC和I/O板的功能结构的一例的图。

图4是表示第一实施方式所涉及的状态信号检测电路的一例的图。

图5是表示第一实施方式所涉及的异常探测处理的一例的流程图。