[发明专利]通过粘合剂转移制备电子电路在审

专利信息
申请号: 201780023695.7 申请日: 2017-04-10
公开(公告)号: CN109076703A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 约翰·D·李;摩西·M·戴维;杰弗里·W·麦卡琴;洪·T·陈 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: H05K3/12 分类号: H05K3/12;H05K3/14;H05K3/00;H05K3/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 孙微;金小芳
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 基材 释放 结构化释放 粘合剂转移 电路形成 电子电路 制备 结构化粘合剂层 电子电路元件 粘合剂表面 电路元件 多层制品 非结构化 形成材料 转移电路 粘合剂 凹陷部 单一层 结构化 可转移 突出部 压印
【权利要求书】:

1.一种在表面上制备电子电路的方法,包括:

提供结构化释放基材,所述结构化释放基材在所述释放基材的表面上包括一系列突出部和凹陷部,并且在所述释放基材的表面上具有氟化释放层,其中所述氟化释放层包括通过等离子体沉积制备的释放表面;

在所述结构化释放基材的所述表面上的所述释放层上制备电路形成材料的层;

提供粘合剂层;

将所述粘合剂层与在所述结构化释放基材的突出部上的所述电路形成材料接触;以及

将所述粘合剂层从所述结构化释放基材的所述表面去除,使得

在去除之后所述结构化释放基材的所述突出部上的所述电路形成材料的至少一部分至少部分地粘附到所述粘合剂层的表面以形成在其上具有电子电路的粘合剂表面。

2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述释放基材的所述表面上的所述一系列突出部和凹陷部包括半球、棱柱、锥体、椭圆、沟槽或槽的图案。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述电路形成层包括金属层。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构化释放层的所述突出部具有1.0毫米至3.0毫米的平均横截面宽度。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂层的所述表面上的所述电子电路呈与所述释放基材的突出部的所述图案相对应的图案。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂层的所述表面上的所述电子电路包括RFID天线、LED电路、EMI屏蔽器、可佩带电子传感器或触摸屏电路。

7.根据权利要求1所述的方法,其中所述粘合剂层包括导电粘合剂层。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括将在其上具有电子电路的所述粘合剂表面与第二基材的表面接触以形成层合物构造。

9.一种在表面上制备电子电路的方法,包括:

提供结构化释放基材,所述结构化释放基材在所述释放基材的表面上包括一系列突出部和凹陷部,并且在所述释放基材的表面上具有氟化释放层,其中所述氟化释放层包括通过等离子体沉积制备的释放表面;

在所述结构化释放基材的所述表面上的所述释放层上制备电路形成材料的层;

将所述电路形成材料从所述释放基材的所述突出部去除;

提供粘合剂层或预粘合剂层;

将所述粘合剂层或所述预粘合剂层与所述结构化释放基材的所述凹陷部中的所述电路形成材料接触;

如果所述粘合剂层为预粘合剂层,则将所述预粘合剂层固化以形成粘结剂层;以及

将所述粘合剂层从所述结构化释放基材的所述表面去除,使得在去除之后所述结构化释放基材的所述凹陷部中的所述电路形成材料的至少一部分至少部分地粘附到所述粘合剂层的表面以形成在其上具有电子电路的粘合剂表面。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述电路形成层包括金属层。

11.根据权利要求9所述的方法,其中将所述电路形成材料从所述释放基材的所述突出部去除包括粘合剂转移、擦拭或真空去除。

12.根据权利要求9所述的方法,其中所述预粘合剂层包含UV可固化组合物或热固性组合物。

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