[发明专利]制造光电子部件的方法和光电子部件

权利要求书

1.制造光电子部件(100)的方法，其具有下列步骤：

A) 提供半导体(3)，其能够发射初级辐射(8)，

B) 提供烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)，和

C) 使所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)交联以形成三维交联的聚有机硅氧烷(4)，其中所述三维交联的聚有机硅氧烷(4)的有机含量是最多25重量%，

其中所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)是烷氧基含量为17 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基苯基硅树脂，或者

其中烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)是烷氧基含量为35 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基硅树脂。

2.根据权利要求1的方法，

其中步骤C)中的交联是缩合交联。

3.根据权利要求1或2的方法，

其中三维交联的聚有机硅氧烷(4)的有机含量是包括13重量%至包括18重量%。

4.根据权利要求1或2的方法，其中交联的聚有机硅氧烷(4)具有大于70的肖氏A硬度。

5.根据权利要求1或2的方法，

其中交联的聚有机硅氧烷(4)布置在半导体(3)的光束路径中。

6.根据权利要求1或2的方法，其额外地具有步骤D)：

将烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(4)作为转换器元件(11)施加到半导体(3)的辐射主面(12)上，其中转换器元件(11)具有至少一种发光物质(13)，其将初级辐射(8)转变成次级辐射(10)。

7.根据权利要求6的方法，其中所述发光物质是铝石榴石、碱土金属氮化物或其组合，其中所述发光物质在交联的聚有机硅氧烷(4)中具有最小50重量%的含量。

8.根据权利要求6的方法，其额外地具有步骤E)：

将交联的聚有机硅氧烷(4)作为体积浇铸件(9)至少局部地布置在光电子部件(100)的壳体的凹处(14)内，其中半导体(3)形状配合地被交联的聚有机硅氧烷(4)包围并且在截面中具有至少250 μm的厚度，其中所述发光物质是铝石榴石、碱土金属氮化物或其组合，其中所述发光物质在交联的聚有机硅氧烷(4)中具有最多25重量%的含量。

9.根据权利要求1或2的方法，

其中交联的聚有机硅氧烷(4)作为壳体(21)或透镜(5)成型。

10.根据权利要求1或2的方法，

其中步骤B)借助浇铸、滴涂、旋涂、刮涂、喷涂或压缩模塑进行。

11.根据权利要求1或2的方法，

其中步骤C)中的交联(7)借助温度和/或湿度或UV辐射进行。

12.根据权利要求1或2的方法，

其中所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂通过前体水解而产生。

13.光电子部件(100)，其通过根据权利要求1至12中任一项的方法可得。

14.制造光电子部件(100)的方法，其具有下列步骤：

A) 提供半导体(3)，其能够发射初级辐射(8)，

B) 提供烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)，和

C) 使所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)交联以形成三维交联的聚有机硅氧烷(4)，其中所述三维交联的聚有机硅氧烷(4)的有机含量是最多25重量%，其中所述三维交联的聚有机硅氧烷以密网眼的形式成型，

其中所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)是烷氧基含量为17 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基苯基硅树脂，或者

其中烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)是烷氧基含量为35 +/- 4重量%的烷氧基官能化的甲基硅树脂。