[发明专利]制造光电子部件的方法和光电子部件有效

专利信息
申请号: 201780024117.5 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN109075238B 公开(公告)日: 2021-10-12
发明(设计)人: G.克罗伊特;M.洛斯特;K.施密特克;A.皮克特 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘维升;周李军
地址: 德国雷*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制造 光电子 部件 方法
【说明书】:

发明涉及制造光电子部件(100)的方法,其具有下列步骤:A)提供半导体(3),其能够发射初级辐射(8),B)提供烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1),并C)使所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂(1)交联以形成三维交联的聚有机硅氧烷(4),其中所述三维交联的聚有机硅氧烷(1)的有机含量是最多25重量%。

本发明涉及制造光电子部件的方法。此外,本发明涉及光电子部件。

光电子部件,例如发光二极管或大功率发光二极管(LED)通常具有由聚有机硅氧烷(硅酮)形成的透明部件。但是,这些透明部件不具有足够的温度稳定性和蓝光稳定性(Blaulichtstabilität)。而且,其它材料作为透明部件也不够蓝光稳定和温度稳定,或要求超过对于LED芯片允许限值的加工温度,例如玻璃。因此,传统聚有机硅氧烷的较少有利性能由于缺乏替代品而导致对于光电子部件的限制。所用传统聚有机硅氧烷的有限的温度稳定性和蓝光稳定性导致较低的最大环境温度、对散热体的较小热阻和小额定电流的规定。高的渗透性可能额外地是限制使用光电子部件的原因。例如,具有高的硫或硫化物含量的气氛或挥发性有机化合物的存在可能扩散到光电子部件中并损害它们。此外,由于传统硅酮的高的热膨胀(250至300 ppm),需要特定的壳体匹配,以例如避免脱层。特别以所需壳体形状存在的传统聚有机硅氧烷通过贵金属催化的加成而交联。聚合物链在此在固化过程中结合,在该固化过程中Si-H键与C-C双键在加聚中反应并形成Si-C键。

本发明的目的是提供制造光电子部件的方法,该方法提供稳定的光电子部件。特别地,所制造的光电子部件是温度稳定和/或蓝光稳定的。此外,本发明的目的是提供稳定,特别是温度稳定和/或蓝光稳定的光电子部件。

所述目的通过根据独立权利要求1的制造光电子部件的方法实现。本发明的有利实施方式和扩展方式是从属权利要求的主题。此外,所述目的通过根据权利要求15的光电子部件实现。

在至少一个实施方案中,所述制造光电子部件的方法具有下列步骤:

A) 提供半导体,其能够发射初级辐射,

B) 提供烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂,特别是甲氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂,并

C) 使所述烷氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂,特别是甲氧基官能化的聚有机硅氧烷树脂交联以形成三维交联的聚有机硅氧烷,其中所述三维交联的聚有机硅氧烷的有机含量是最多25重量%,即最大25重量%。

发明人已认识到,通过在此描述的方法可以产生部件,其相比于具有传统硅酮的部件而言具有提高的温度稳定性和/或蓝光稳定性。所述交联的聚有机硅氧烷可以作为透镜、壳体、浇铸材料和/或转换器元件成型并且出色地用于大功率LED。

根据至少一个实施方案,所述光电子部件具有半导体。该半导体包括半导体层序列。该半导体的半导体层序列优选地基于III-V化合物半导体材料。所述半导体材料优选是氮化物化合物半导体材料,例如AlnIn1-n-mGamN或磷化合物半导体材料,例如AlnIn1-n-mGamP,其中分别地0 ≤ n ≤ 1,0 ≤ m ≤ 1且n + m ≤ 1。同样地,所述半导体材料可以是AlxGa1-xAs,其中0 ≤ x ≤ 1。在此,该半导体层序列可以具有掺杂物质以及额外的成分。但是,为了简单,仅说明该半导体层序列的晶格的主要成分,即Al、As、Ga、In、N或P,甚至当它们可以部分地被少量其它物质替代和/或补充时。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司,未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780024117.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top