[发明专利]剥离方法及柔性装置的制造方法有效
申请号: | 201780024764.6 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN109075079B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;谷中顺平;保本清治;大野正胜;安达广树 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离 方法 柔性 装置 制造 | ||
1.一种柔性装置的制造方法,包括如下步骤:
在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层;
通过光刻法去除所述第一层的一部分,然后进行热处理以形成具有开口的树脂层;
形成覆盖所述树脂层的所述开口的硅层;
在所述树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管;
通过与所述晶体管的源极或漏极的制造工序相同的制造工序在覆盖所述开口的所述硅层上形成导电层;
对所述树脂层及覆盖所述开口的所述硅层照射激光;以及
从所述形成用衬底分离所述晶体管及所述导电层。
2.根据权利要求1所述的柔性装置的制造方法,其中所述硅层构成为被照射光而释放氢。
3.根据权利要求1所述的柔性装置的制造方法,其中所述硅层是氢化非晶硅层。
4.根据权利要求1所述的柔性装置的制造方法,其中从所述形成用衬底一侧对所述树脂层及所述硅层照射所述激光。
5.一种柔性装置的制造方法,包括如下步骤:
在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层;
通过光刻法去除所述第一层的一部分,然后进行热处理以形成具有开口的树脂层;
形成覆盖所述树脂层的所述开口的氧化物层;
在所述树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管;
通过与所述晶体管的源极或漏极的制造工序相同的制造工序在覆盖所述开口的所述氧化物层上形成导电层;
对所述树脂层及覆盖所述开口的所述氧化物层照射激光;以及
从所述形成用衬底分离所述晶体管及所述导电层。
6.根据权利要求5所述的柔性装置的制造方法,其中所述氧化物层包含铝、镓、钇和锡中的任一个、铟及锌。
7.根据权利要求5所述的柔性装置的制造方法,其中从所述形成用衬底一侧对所述树脂层及所述氧化物层照射所述激光。
8.一种柔性装置的制造方法,包括如下步骤:
在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层;
通过光刻法去除所述第一层的一部分,然后进行热处理以形成具有开口的树脂层;
形成覆盖所述树脂层的所述开口的氧化物层;
在所述树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管;
通过与所述晶体管的源极或漏极的制造工序相同的制造工序在覆盖所述开口的所述氧化物层上形成导电层;
对所述树脂层及覆盖所述开口的所述氧化物层照射激光;以及
从所述形成用衬底分离所述晶体管及所述导电层,
其中,所述氧化物层包含铝、镓、钇和锡中的任一个、铟及锌,
并且,从所述形成用衬底一侧对所述树脂层及所述氧化物层照射所述激光。
9.根据权利要求1、5、8中任一项所述的柔性装置的制造方法,其中所述激光是线性激光。
10.根据权利要求1、5、8中任一项所述的柔性装置的制造方法,其中使用粘度为5cP以上且低于100cP的溶液形成所述第一层。
11.根据权利要求1、5、8中任一项所述的柔性装置的制造方法,其中使用旋涂机形成所述第一层。
12.根据权利要求1、5、8中任一项所述的柔性装置的制造方法,
其中以第一温度进行所述热处理,
并且以低于所述第一温度的温度制造所述晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201780024764.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于鳍的晶体管的几何调整
- 下一篇:使基材内孔道金属化的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造