[发明专利]剥离方法及柔性装置的制造方法有效
申请号: | 201780024764.6 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN109075079B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;谷中顺平;保本清治;大野正胜;安达广树 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/02;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;钱慰民 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离 方法 柔性 装置 制造 | ||
提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层,通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层,以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层,在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管,在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层,对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光,将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
技术领域
本发明的一个实施方式涉及一种剥离方法及柔性装置的制造方法。
注意,本发明的一个实施方式不局限于上述技术领域。本发明的一个实施方式的技术领域的例子包括半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入-输出装置(例如,触摸面板等)以及它们的驱动方法或它们的制造方法。
在本说明书等中,半导体装置一般是指能够通过利用半导体特性而工作的装置。晶体管、半导体电路、运算装置及存储装置等都是半导体装置的一个实施方式。另外,摄像装置、电光装置、发电装置(例如,薄膜太阳能电池及有机薄膜太阳能电池等)及电子设备有时各自包括半导体装置。
背景技术
已知应用有机电致发光(EL)元件或液晶元件的显示装置。此外,显示装置的例子包括具备发光二极管(LED)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
有机EL元件的一般具有在一对电极之间夹有包含发光性有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压,发光性有机化合物可以发射光。由于使用上述有机EL元件,可以实现薄型、轻量、对比度高且功耗低的显示装置。
此外,通过在柔性衬底(薄膜)上形成晶体管等半导体元件以及有机EL元件等显示元件,可以提供柔性显示装置。
在专利文献1中公开了在经过牺牲层对设置有耐热性树脂层及电子元件的支撑衬底照射激光之后,将耐热性树脂层从玻璃衬底剥离来制造柔性显示装置的方法。
[参考文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2015-223823号公报
发明内容
本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的剥离方法。本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种成本低且生产率高的剥离方法。本发明的一个实施方式的目的之一是使用大型衬底进行剥离。
本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种新颖的柔性装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种可靠性高的柔性装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的之一是以低温制造柔性装置。本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种制造工序简化的柔性装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的之一是提供一种成本低且生产率高的柔性装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的之一是使用大型衬底制造柔性装置。
注意,这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意,本发明的一个实施方式并不需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
本发明的一个实施方式是一种柔性装置的制造方法,包括:在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层的步骤;通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层的步骤;以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层的步骤;在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管的步骤;在硅层上通过与晶体管的源极或漏极的制造工序相同的制造工序形成导电层的步骤;对树脂层及硅层照射激光的步骤;以及从形成用衬底分离晶体管及导电层的步骤。
作为上述实施方式中的硅层,也可以形成具有被照射光而释放氢的功能的硅层。
作为上述实施方式中的硅层,也可以形成氢化非晶硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造