[发明专利]光电装置和使用方法在审
申请号: | 201780025978.5 | 申请日: | 2017-03-23 |
公开(公告)号: | CN109417129A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | P·特雷弗纳斯三世;K·德什潘德;T·埃韦斯;E·格里尔;J·朱;金奉勋;欧纳瑞;J·A·罗杰斯;M·西姆;张洁倩 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯公司;伊利诺伊大学评议会;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;G01B11/02;G06F3/041;H01L51/50;G06F3/042 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 徐舒 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电元件 光电装置 光电流 发光 施加 反向偏压 正向偏压 反射光 散射光 散射 反射 相距 发射 检测 | ||
提供一种在光电装置(105)附近检测物体的存在的方法,其包括:(a)提供包括发光光电元件(405,3305,205)和光电流生成光电元件(404,3304,204)的光电装置8105);(b)在所述发光光电元件上施加有效正向偏压并在所述光电流生成光电元件上施加有效反向偏压;(c)使能够散射光或反射光或其组合的物体(21)与所述光电装置的表面上的光出现的点相距0.1mm到5mm的距离,从而使所述发光光电元件发射的光被反射或散射成使得所述光落在所述光电流生成光电元件上。
一些光电装置含有两个或更多个光电元件。在一些光电装置中,一个或多个光电元件(发射元件)被配置为在施加适当的电场时发光,而其它光电元件(吸收元件)被配置为在被具有适当波长范围内的波长的光撞击时生成电流。通常希望吸收元件响应行进穿过装置外部的空间并且然后撞击装置的光。在这种情况下,不希望发射元件发射的光沿着装置本身内的路径行进并到达吸收元件。另外,希望吸收元件在被光撞击时快速响应以生成光电流(即,具有短的上升时间)。
US2014/0036168描述了一种有机发光二极管阵列,所述阵列可以用于光感测以及发光功能。希望提供一种改进的装置,其中来自发射二极管的光不通过行进完全位于装置内的路径而到达吸收二极管。还希望提供具有改进的上升时间的光电装置。改进的装置理想地用于各种目的,包含检测装置外部的物体、检测来自如光笔或激光指示器等特定装置的光以及创建与光笔或激光指示器描绘的路径相对应的图像。
以下是本发明的发明内容。
本发明的第一方面是一种装置,其包括发光光电元件和光电流生成光电元件,其中所述装置进一步包括不透明元件,所述不透明元件防止所述发光光电元件发射的光经由所述装置内的通路到达所述光电流生成光电元件。
本发明的第二方面是一种光电装置,所述光电装置包括光电元件和连接到所述光电元件的电路,
其中所述光电元件包括多个量子点或多个纳米棒,并且
其中所述电路被配置为能够在其中所述电路提供使所述光电元件发光的有效正向偏压的配置与其中所述电路提供使所述光电元件能够在所述光电元件敏感的光撞击所述光电元件时生成光电流的有效反向偏压的配置之间切换所述光电元件。
本发明的第三方面是一种在光电装置附近检测物体的存在的方法,其包括:
(a)提供包括发光光电元件和光电流生成光电元件的光电装置,
其中所述装置被配置为使得所述发光光电元件发射的一些光离开所述光电装置,
其中所述装置被配置为使得所述发光光电元件发射的离开所述光电装置并被外部物体散射或反射的光可以撞击所述光电流生成光电元件,
(b)在所述发光光电元件上施加有效正向偏压并在所述光电流生成光电元件上施加有效反向偏压,
(c)使能够散射光或反射光或其组合的物体与所述光电装置的表面上的光出现的点相距0.1mm到5mm的距离,从而使所述发光光电元件发射的光被反射或散射成使得所述光落在所述光电流生成光电元件上。
本发明的第四方面是一种在光电装置附近检测物体的存在的方法,其包括:
(a)将包括光电流生成光电元件的光电装置提供在源于所述光电装置外部的外部光落在所述光电装置上的环境中,
(b)在所述光电流生成光电元件上施加有效反向偏压,其中所述外部光具有适当的波长和足够的强度以使所述光电流生成光电元件生成光电流,以及
(c)使不透明物体与所述光电装置的表面上的点相距0.1mm到5mm的距离,从而使所述不透明物体阻挡足够的所述外部光以使所述光电流生成光电元件生成的所述光电流可检测地减少。
本发明的第五方面是一种在光电元件阵列上创建图像的方法,其包括:
(a)提供包括光电元件阵列和连接到每个光电元件的电路的装置,
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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