[发明专利]光学元件和包括该光学元件的光学组件

权利要求书

1.一种光学元件(14)，包括：

基板(15)，

在所述基板(15)上施加的反射涂层(16)，以及

在所述基板(15)和所述反射涂层(16)之间延伸的导电涂层(19)，

其中所述导电涂层(19)具有拉张应力下的至少一个第一层(22a)和压缩应力下的至少一个第二层(22b)，并且其中所述导电涂层(19)具有沿着所述基板(15)的侧表面横向延伸超出所述反射涂层(16)的至少一个段(20)，

其中，所述至少一个第一层通过第一涂覆方法形成，所述至少一个第二层通过第二涂覆方法形成，所述第二涂覆方法与所述第一涂覆方法不同，以产生相反的应力，以及

其中，所述第一层和/或所述第二层(22a、22b)由贵金属或贵金属合金形成。

2.根据权利要求1所述的光学元件，其中，所述光学元件用于EUV光刻。

3.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述第一层(22a)的材料和/或所述第二层(22b)的材料选自包括以下的组：银、金、铑、铱、钌、锇、铂、钯、及其合金。

4.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述导电涂层(19)具有布置在所述第一层(22a)和所述第二层(22b)之间的至少一个阻挡层(23)。

5.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述至少一个阻挡层(23)布置在所述反射涂层(16)和所述导电涂层(19)之间。

6.根据权利要求4所述的光学元件，其中，所述阻挡层(23)的材料选自包括以下的组：W、Ta、Y、Mo、Zr、Ti、Hf、Sc、其合金和/或化合物。

7.根据权利要求6所述的光学元件，其中，所述阻挡层(23)的材料选自包括以下的组：碳化物、氮化物、硼化物、硅化物、C和B₄C。

8.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述导电涂层(19)具有50nm和1000nm之间的厚度(D)。

9.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述第一层(22a)的厚度(D1)比所述第二层(22b)的厚度(D2)更大，并且其中所述第一层(22a)的材料对于EUV辐射(6)的吸收比所述第二层(22b)的材料更大，或者所述第二层(22b)的厚度(D2)比所述第一层(22a)的厚度(D1)更大，并且其中所述第二层(22b)的材料对于EUV辐射(6)的吸收比所述第一层(22a)的材料更大。

10.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，所述反射涂层(16)包含由具有不同折射率的材料构成的多个交替的单独层(17a、17b)。

11.根据权利要求1或2所述的光学元件，其中，保护所述基板(15)免受EUV辐射(6)的至少一个保护层(24)布置在所述导电涂层(19)和所述基板(15)之间。

12.一种光学组件，包括：根据前述权利要求中任一项所述的光学元件(14)。

13.根据权利要求12所述的光学组件，其中，所述光学组件为EUV光刻系统(1)。

14.根据权利要求12所述的光学组件，还包括电线(21)，所述电线(21)接触在所述基板(15)上横向延伸超出所述反射涂层(16)的所述至少一个段(20)。