[发明专利]基板处理装置、排出方法以及程序

说明书

本发明提供一种基板处理装置，具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制第一阀和第二阀，气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，控制部以从成为第一阀打开并且无法从气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭第一阀，在关闭第一阀之后关闭第二阀的方式进行控制。

相关申请的交叉引用

在本申请中，主张在2016年12月12日向日本申请的专利申请号2016-240315的权益，通过引用将该申请的内容编入本申请。

技术领域

本技术涉及基板处理装置、排出方法以及程序。

背景技术

随着半导体进入微细化，水平方向的尺寸缩小化，并且垂直方向的结构也复杂化。因此，使半导体基板(晶圆)表面平坦化，并使加工容易的技术的必要性升高。在这样的平坦化技术中，格外增加重要度的是化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing：CMP)技术。为了对半导体基板等基板(晶圆)进行各种处理，使用基板处理装置。作为该基板处理装置的一个例子，可举出使用CMP技术，研磨晶圆等基板的研磨装置(参照专利文献1)。

使用CMP技术的研磨装置具备用于进行基板的研磨处理的研磨部、进行基板的清洗处理的清洗部、对清洗后的基板进行干燥处理的干燥部、以及将基板交接给研磨部并且接收通过干燥部干燥处理后的基板的装载/卸载部等。另外，研磨装置具备在研磨部、清洗部以及装载/卸载部间进行基板的输送的输送部。研磨装置通过输送部输送基板，并且依次进行研磨、清洗以及干燥各种处理。

在清洗部的清洗槽等中使用的吸附工作台上，为了真空吸附基板而设置有真空吸附管线。在真空吸附基板时，为了在真空吸附管线上从真空吸附用的贯通孔吸引大气和残留在基板上的清洗水，需要利用气水分离槽分离这些水分。因此，在真空吸附管线上连接有气水分离槽(参照专利文献1)。

专利文献1:日本特开2015-150648号公报

发明内容

一个实施方式的基板处理装置具备：第一阀，设置于气体供给源和气水分离槽之间并且开关从上述气体供给源供给的气体的流路；第二阀，开关从上述气水分离槽的排出口排出的液体的流路；以及控制部，控制上述第一阀和上述第二阀，上述气水分离槽的排出口与清洗基板的清洗室的排出口连通，上述控制部以从成为上述第一阀打开并且无法从上述气水分离槽排出气体的状态时起经过预先设定的气体供给时间之后，关闭上述第一阀，在关闭上述第一阀之后关闭上述第二阀的方式进行控制。

附图说明

图1是表示本技术的实施方式的基板处理装置100的整体结构的俯视图。

图2是表示第一清洗室190和第二清洗室192的管道的结构的示意图。

图3是表示气体供给源的每个气体的压力下的排液所需时间和气体供给时间的关系的图。

图4是表示气水分离槽AWS的排液的处理的流程的一个例子的流程图。

具体实施方式

气水分离槽的液体的排出口经由清洗室的排液口和排液管道连通。在排出滞留在该清洗槽等中使用的吸附工作台所使用的气水分离槽中的液体时，向气水分离槽连续地供给气体(例如，加压氮气)。但是，通过向气水分离槽连续地供给气体，存在使受污染的空气和/或液体逆流入清洗室内，而污染基板的可能。

[实施方式]

希望提供一种能够降低清洗室内的基板被污染的可能的基板处理装置、排出方法以及程序。