[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法有效
申请号: | 201780026812.5 | 申请日: | 2017-05-11 |
公开(公告)号: | CN109075752B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 加贺野未来;尾込智和 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H03F3/343 | 分类号: | H03F3/343;G05F3/26;G07D7/00;H03K17/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈力奕;胡秋瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 偏置 电流 电路 信号 处理 装置 控制 方法 | ||
1.一种偏置电流电路,其特征在于,包括:
将电流源连接到漏极端子及栅极端子的第1场效应晶体管;
将提供偏置电流的第1电子电路连接到漏极端子的第2场效应晶体管;
将源极端子连接到所述第1场效应晶体管的栅极端子、将漏极端子连接到所述第2场效应晶体管的栅极端子的第3场效应晶体管;
将漏极端子及源极端子分别连接到所述第2场效应晶体管的栅极端子及源极端子的第4场效应晶体管;及
与所述第2场效应晶体管之间将彼此的栅极端子相连接且将彼此的源极端子相连接的多个第5场效应晶体管,
将提供所述偏置电流的多个第2电子电路分别连接到多个所述第5场效应晶体管的漏极端子,
多个所述第2电子电路经由与各所述第2电子电路对应设置并利用基于从外部输入的信号的时钟信号来依次进行切换的多个开关连接到所述第1电子电路,通过使多个所述开关中的任意开关导通,使得与该开关对应的所述第2电子电路与所述第1电子电路导通,
所述第1场效应晶体管、所述第2场效应晶体管、所述第3场效应晶体管、所述第4场效应晶体管及所述第5场效应晶体管是P型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor:金属氧化物半导体场效应晶体管),
所述第1场效应晶体管、所述第2场效应晶体管、所述第4场效应晶体管及所述第5场效应晶体管将正的电压源连接到源极端子,
对所述第3场效应晶体管的栅极端子输入作为基于从外部输入的所述信号来生成的控制信号的、根据是否提供所述偏置电流来进行切换的所述控制信号,对所述第4场效应晶体管的栅极端子输入所述控制信号的反转信号,
所述控制信号在对所述第1电子电路及所述第2电子电路提供所述偏置电流时变成低电平,使所述第3场效应晶体管的漏极端子与源极端子导通,使所述第4场效应晶体管的漏极端子与源极端子不导通,在对所述第1电子电路及所述第2电子电路停止所述偏置电流时变成高电平,使所述第3场效应晶体管的漏极端子与源极端子不导通,使所述第4场效应晶体管的漏极端子与源极端子导通。
2.一种信号处理装置,该信号处理装置输出利用放大用的电子电路将从多个传感器元件输出的传感器信号进行放大后所得的放大信号,其特征在于,
多个所述第2电子电路为将多个所述传感器元件的输出分别进行放大的多个信道放大器,所述第1电子电路为将因所述开关的导通而与第1电子电路变得导通的所述第2电子电路的输出进行放大并输出所述放大信号的输出放大器,
具有权利要求1所述的偏置电流电路,在输出所述放大信号的情况下,该偏置电流电路对所述第1电子电路及多个所述第2电子电路提供偏置电流,在不输出所述放大信号的情况下,该偏置电流电路对所述第1电子电路及多个所述第2电子电路停止所述偏置电流。
3.如权利要求2所述的信号处理装置,其特征在于,还包括:
纸张检测器,该纸张检测器检测有无纸张;及
睡眠模式控制电路,该睡眠模式控制电路在所述纸张检测器在一定时间内未检测到所述纸张时,将睡眠模式从关闭切换为开启,
所述偏置电流电路在所述睡眠模式开启时,停止所述偏置电流。
4.如权利要求2或3所述的信号处理装置,其特征在于,
所述传感器信号为检测出纸张中所包含的磁信息的信号。
5.一种偏置电流控制方法,该偏置电流控制方法利用了电流镜像电路,所述电流镜像电路包括:将电流源连接到漏极端子及栅极端子的第1场效应晶体管;将提供偏置电流的第1电子电路连接到漏极端子的第2场效应晶体管;及与所述第2场效应晶体管之间将彼此的栅极端子相连接且将彼此的源极端子相连接、将提供所述偏置电流的多个第2电子电路分别连接到漏极端子的多个第5场效应晶体管,所述偏置电流控制方法的特征在于,
所述第1场效应晶体管的栅极端子及所述第2场效应晶体管的栅极端子分别连接到第3场效应晶体管的源极端子及漏极端子,
所述第2场效应晶体管的栅极端子及源极端子分别连接到第4场效应晶体管的漏极端子及源极端子,
多个所述第2电子电路经由与各所述第2电子电路对应设置并利用基于从外部输入的信号的时钟信号来依次进行切换的多个开关连接到所述第1电子电路,通过使多个所述开关中的任意开关导通,使得与该开关对应的所述第2电子电路与所述第1电子电路导通,
所述第1场效应晶体管、所述第2场效应晶体管、所述第3场效应晶体管、所述第4场效应晶体管及所述第5场效应晶体管是P型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor:金属氧化物半导体场效应晶体管),所述第1场效应晶体管、所述第2场效应晶体管、所述第4场效应晶体管及所述第5场效应晶体管将正的电压源连接到源极端子,
对所述第3场效应晶体管的栅极端子输入作为基于从外部输入的所述信号来生成的控制信号的、根据是提供所述偏置电流还是停止所述偏置电流来进行切换的所述控制信号,对所述第4场效应晶体管的栅极端子输入所述控制信号的反转信号,
所述偏置电流控制方法具有:
偏置电流供给步骤,该偏置电流供给步骤中,通过对所述第3场效应晶体管的栅极端子输入低电平的所述控制信号,使所述第3场效应晶体管的漏极端子与源极端子导通,使所述第4场效应晶体管的漏极端子与源极端子不导通,对所述第1电子电路及所述第2电子电路提供所述偏置电流;及
偏置电流停止步骤,该偏置电流停止步骤中,通过对所述第3场效应晶体管的栅极端子输入高电平的所述控制信号,使所述第3场效应晶体管的漏极端子与源极端子不导通,使所述第4场效应晶体管的漏极端子与源极端子导通,对所述第1电子电路及所述第2电子电路停止所述偏置电流。
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