[发明专利]偏置电流电路、信号处理装置及偏置电流控制方法

说明书

偏置电流电路(116)包括：将电流源(201)连接到漏极端子和栅极端子的N型MOSFET(202)；及将偏置电流的输出端子(212、213)连接到漏极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(203、204)。偏置电流电路(116)还包括：将漏极端子和源极端子中的任一方及另一方连接到N型MOSFET(202)及N型MOSFET(203、204)的栅极端子的N型MOSFET(205)；及将漏极端子连接到N型MOSFET(203、204)的栅极端子并将源极端子接地的N型MOSFET(206)。将在提供偏置电流时变成低电平、在停止偏置电流时变成高电平的控制信号输入到N型MOSFET(206)的栅极端子，将控制信号的反转信号输入到N型MOSFET(205)的栅极端子。

技术领域

本发明涉及对电子电路提供或停止偏置电流的偏置电流电路、具有偏置电流控制功能的信号处理装置及偏置电流控制方法。

背景技术

以往，利用将多个传感器元件排成一列而构成的传感器阵列来读取图像的技术正得以灵活运用。例如，用于读取利用磁性墨水印刷于纸上的磁信息的磁传感器装置中，利用将磁阻元件进行桥式连接后得到的电路来读取磁信息，该磁阻元件具有在施加有磁场时电阻值发生变化这一特性。

在检测纸币等的微小磁性图案的磁传感器装置中，由于纸币等中使用的磁性图案的磁化量较为微小，因此，磁阻元件的电阻值的变化较为微小。因此，从桥式连接的磁阻元件的中点取出的传感器输出信号也较为微小。为了获取图案信息，需要在低噪音的状态下以约1000倍的高增益将该传感器输出信号进行放大。

实现高增益、低噪音的放大器的消耗电流较大，由于将这种放大器分别连接到磁阻元件，因此，变成驱动多个放大器，功耗增加。由此，存在如下问题：伴随向装置供电的电源的高容量化而引起高成本化，因装置的发热而引起搭载在装置内部的元器件的寿命降低，因此，需要用于散热的机构等。

对于这些问题，提出有如下技术：仅在读取图像时使放大器为驱动状态，在无需使待机时的电路动作时，停止偏置电流从而抑制功耗(例如专利文献1)。在专利文献1中，说明了通过对电流镜像电路的电流输出端子追加控制电路，可实现偏置电流的输出/停止。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2015-37287号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

专利文献1中记载的偏置电流电路包括第1、第2双极晶体管，第1、第2双极晶体管构成第1差动对。此外，还包括与第1差动对并联连接且将基准电压施加到控制端子的第3双极晶体管、及与第1差动对串联连接且将与基准电压对应的控制电压施加到控制端子的第4双极晶体管，第3、第4双极晶体管构成第2差动对。此外，还包括与第1差动对连接、且基于从第1双极晶体管输出的电流来输出偏置电流的4个MOS晶体管。

该偏置电流电路由多个晶体管构成，且构成为需要输入到各个晶体管的多个基准电压和与该基准电压相匹配的多个控制信号的输入，存在电路规模变大的问题。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种可通过简易结构且仅利用单一的控制信号来切换偏置电流的供给/停止的偏置电流电路。

解决技术问题的技术方案