[发明专利]中子照射硅单晶的制造方法

权利要求书

1.中子照射硅单晶的制造方法，在通过对所培育的硅单晶的锭在特定的中子照射装置的固有条件下照射中子并掺杂磷而制造规定电阻率的硅单晶的方法中，

在算出用于得到所述规定电阻率的目标中子照射量时，

在所述固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，

测定针对各中子照射量而得到的多个所述掺杂的硅单晶的电阻率，

根据所述多个中子照射量和在各中子照射量下测定的多个电阻率，预先求出表示所述中子照射量与所述电阻率的关系的、考虑了所述固有条件下的所述电阻率的偏差的标准曲线，

将包含利用所述标准曲线而得到的使电阻率达到所述规定电阻率的中子照射量在内的规定范围的值设为所述目标中子照射量。

2.根据权利要求1所述的中子照射硅单晶的制造方法，其中，所述电阻率的测定在一个晶圆面内测定直径线上的5个部位以上。

3.根据权利要求1所述的中子照射硅单晶的制造方法，其中，将所述测定的电阻率之中的最小值记作Rmin、将最大值记作Rmax的情况中，

以满足(Rmin+Rmax)/2≤所述规定电阻率≤Rmax的方式设定所述目标中子照射量。

4.根据权利要求2所述的中子照射硅单晶的制造方法，其中，将所述测定的电阻率之中的最小值记作Rmin、将最大值记作Rmax的情况中，

以满足(Rmin+Rmax)/2≤所述规定电阻率≤Rmax的方式设定所述目标中子照射量。