[发明专利]中子照射硅单晶的制造方法

说明书

在通过对所培育的硅单晶(C)的锭(I)在固有条件下照射中子并掺杂磷而制造规定电阻率的硅单晶的方法中，在算出用于得到前述规定电阻率的目标中子照射量时，在前述固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，测定针对各中子照射量而得到的多个前述掺杂的硅单晶的电阻率，预先求出表示前述中子照射量与前述电阻率的关系的标准曲线，将利用前述标准曲线而得到的使电阻率达到前述规定电阻率的中子照射量设为前述目标中子照射量。

技术领域

本发明涉及中子照射硅单晶的制造方法。

背景技术

作为中子照射硅单晶的制造方法，提出下述中子照射硅单晶的制造方法，其具有：在通过FZ法添加氮的同时培育平均电阻率为1000Ω・cm以上的硅单晶锭的步骤、对该硅单晶锭进行中子照射的步骤、和进行恢复因该中子照射而受到的损伤的热处理的步骤，其中，至少在对硅单晶锭进行中子照射的步骤之前，对硅单晶进行消除供体的热处理，由进行了消除供体的热处理的硅单晶的电阻率算出中子照射量，进行中子照射步骤。中子照射步骤中的中子照射量N基于原料电阻率R1和目标电阻率RT而算出，但实际得到的中子照射后的电阻率R2因添加氮而有时与目标电阻率RT产生大幅偏离。因此，据信如果进行消除基于氮的供体的热处理，其后使用评价得到的原料硅单晶的电阻率评价值，预先在中子照射步骤之前算出为了得到目标电阻率而必要的中子照射量，则抑制了因氮添加而导致的复合体供体的影响，能够得到更正确的值。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-176725号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而，即使将中子照射量N设定为适当的值，因照射中子的装置(核反应堆)的个体差异，有时实际得到的中子照射后的电阻率R2与目标电阻率RT产生大幅偏离。

本发明要解决的课题在于，提供能够正确得到具有目标电阻率的中子照射硅单晶的中子照射硅单晶的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明通过下述方法解决了上述课题：

在通过对所培育的硅单晶的锭在固有条件下照射中子并掺杂磷而制造规定电阻率的硅单晶的方法中，

在算出用于得到前述规定电阻率的目标中子照射量时，

在前述固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，

测定针对各中子照射量而得到的多个前述掺杂的硅单晶的电阻率，

预先求出表示前述中子照射量与前述电阻率的关系的标准曲线，

将利用前述标准曲线而得到的使电阻率达到前述规定电阻率的中子照射量设为前述目标中子照射量。

发明效果

根据本发明，在包括中子照射装置的个体差异等在内的固有条件下，对每个硅单晶设定中子照射量不同的多个中子照射量并照射中子，测定针对各中子照射量而得到的多个掺杂的硅单晶的电阻率，预先求出表示前述中子照射量与前述电阻率的关系的标准曲线。并且，在前述固有条件下算出用于得到规定电阻率的目标中子照射量时，将利用前述标准曲线而得到的使电阻率达到前述规定电阻率的中子照射量设为前述目标中子照射量，得到考虑了固有条件的偏差的中子照射量。其结果是，能够正确得到具有目标电阻率的中子照射硅单晶。

附图说明

图1是示出本发明的中子照射硅单晶的制造方法中使用的制造硅单晶的制造装置的一个例子的截面图。

图2是示出本发明的中子照射硅单晶的制造方法中使用的中子照射装置的一个例子的概略图。