[发明专利]半导体基板加工用粘合带

权利要求书

1.一种半导体基板加工用粘合带，其具备：基材；及粘合层，该粘合层层叠于该基材的一个面，其特征在于，

所述基材具有：切口层，该切口层位于所述一个面侧；及扩张层，该扩张层层叠于该切口层的另一个面，

所述扩张层的粘着力在80℃条件下为1kPa以上且60kPa以下，

所述粘合层的粘着力在25℃条件下为50kPa以上且小于500kPa，并且在80℃条件下为20kPa以上且小于300kPa，

将在80℃条件下的所述扩张层的粘着力设为A kPa、在80℃条件下的所述粘合层的粘着力设为B kPa时，A/B满足0.003以上且3以下的关系。

2.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述扩张层含有具有扩张性的树脂材料。

3.根据权利要求2所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述具有扩张性的树脂材料为聚乙烯系树脂。

4.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述切口层含有熔融粘度高且具有扩张性的树脂材料。

5.根据权利要求4所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述熔融粘度高且具有扩张性的树脂材料为离聚物树脂。

6.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述扩张层的厚度为7μm以上且95μm以下。

7.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述切口层的厚度为10μm以上且140μm以下。

8.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

该半导体基板加工用粘合带用于将半导体基板经由所述粘合层临时固定于所述基材，并在进行将所述半导体基板沿厚度方向进行切断而单片化的加工之后，对所述粘合层赋予能量，由此使单片化的所述半导体基板从所述粘合层脱离。

9.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述粘合层含有具有粘合性的基体树脂。

10.根据权利要求9所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述基体树脂为丙烯酸系树脂。

11.根据权利要求9或10所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述粘合层还含有通过能量的赋予而固化的固化性树脂。

12.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

所述粘合层的厚度为1μm以上且30μm以下。

13.根据权利要求1所述的半导体基板加工用粘合带，其中，

对所述基材沿厚度方向形成切口至厚度的60％时，依据JIS K 6734测定的所述基材的断裂伸长度为50％以上且400％以下。