[发明专利]半导体基板加工用粘合带

说明书

本发明的半导体基板加工用粘合带(100)的特征在于，具备：基材(4)；及层叠于该基材(4)的一个面的粘合层(2)，并且，基材(4)具有：切口层(41)，位于所述一个面侧；及扩张层(42)，层叠于该切口层(41)的另一个面，扩张层(42)的粘着力在80℃条件下为1kPa以上且200kPa以下。由此，能够提供一种在切割工序中能够可靠地防止翘曲的发生，同时能够抑制或防止扩张层对切割机工作台的熔合的半导体基板加工用粘合带。

技术领域

本发明关于一种半导体基板加工用粘合带。

背景技术

对近年来向电子设备的高功能化和移动用途的扩大的对应，半导体装置的高密度化、高集成化的要求增强，IC封装的大容量高密度化正在发展中。

作为该半导体装置能够举出将半导体元件安装于基板上而进行了模块化的装置，但作为该半导体装置的制造方法，例如提出有如下方法。

即，首先将多个半导体元件放置于基板上，然后利用密封材料以覆盖放置于基板上的半导体元件的方式进行密封，由此得到半导体密封连结体(集合基板)。

接着，在半导体密封连结体的基板侧粘贴半导体基板加工用粘合带，并经由半导体基板加工用粘合带，将半导体密封连结体设置于切割机工作台上。进一步利用晶片环将半导体密封连结体的周围进行固定，同时使用切割刀片将半导体密封连结体对应于半导体密封连结体所具备的半导体元件，并沿厚度方向进行切割。其结果，半导体密封连结体被切断分离(单片化)，在半导体基板加工用粘合带上形成半导体密封体。由此，在半导体基板加工用粘合带上一次性制造多个半导体密封体。

接着，在将半导体基板加工用粘合带沿面方向扩张的扩展工序之后，拾取单片化的半导体密封体。然后，经由预先形成于半导体密封体所具备的基板的导体柱，将与半导体元件所具备的电极电连接的凸起形成于基板的下表面侧，由此得到半导体装置。

对于这种半导体装置的制造中所使用的半导体基板加工用粘合带，近年来进行了各种各样的研究(例如，参考专利文献1)。

该半导体基板加工用粘合带一般具有基材(膜基材)和形成于该基材上的粘合层，通过粘合层固定半导体密封连结体。并且，粘合层通常由含有具有粘合性的基体树脂及光固化性树脂等的树脂组合物构成，以便能够在半导体密封连结体的切割工序之后容易拾取所形成的半导体密封体。若在切割工序之后对这种粘合层赋予能量，则树脂组合物固化而导致粘合层的粘合性下降。即，粘合层成为在切割工序之后变得容易拾取半导体密封体。

在此，上述半导体装置的制造方法中，利用切割刀片(切割锯：dicing saw)对半导体密封连结体进行切割时，因切割刀片与半导体密封连结体的摩擦，半导体基板加工用粘合带被加热。因此，当半导体基板加工用粘合带所具有的基材为具备切口层和层叠于切口层的与粘合层相反一侧的扩张层的构成时，与切割机工作台接触的扩张层因该加热而软化/熔融，从而熔合于切割机工作台，其结果，存在对作业性及生产量(throughput)带来不良影响的问题。

并且，为了防止这种扩张层的软化/熔融，还能够考虑由具有高熔点的材料构成扩张层。但是，在这种情况下，粘合层与扩张层之间的熔点的差变大，存在半导体基板加工用粘合带产生翘曲的问题。

另外，在对半导体用晶片进行切割并作为拾取对象物拾取半导体元件的情况下，也同样要求这种切割工序中的扩张层的要求特性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-245989号公报。

发明内容

发明要解决的课题

本发明的目的为提供一种在切割工序中能够可靠地防止翘曲的发生，同时能够抑制或防止扩张层对切割机工作台的熔合的半导体基板加工用粘合带。

用于解决课题的手段