[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管

权利要求书

1.一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包含阳极、阴极、至少一个发光层和有机半导体层，其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间，并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物

其中

X选自O、S或Se；并且

R¹和R²独立地选自C₆至C₁₈芳基基团和C₅至C₁₈杂芳基基团，其中R¹和R²中的每一个独立地是未被取代的或被至少一个C₁至C₁₂烷基基团或C₁至C₁₂烷氧基基团取代；并且

各R³、R⁴、R⁵和R⁶独立地选自H、C₁至C₁₂烷基基团或C₁至C₁₂烷氧基基团。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述式1化合物的联苯撑基团在间位与相邻的含磷基团和/或相邻的亚蒽基基团连接。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机半导体层布置在所述发光层与所述阴极之间。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述有机发光二极管还包含布置在所述发光层与所述有机半导体层之间的电子传输层。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述阴极包含至少一个基本上金属阴极层，所述基本上金属阴极层包含选自碱金属、碱土金属、稀土金属、第3族过渡金属及其混合物的第一零价金属；其中“基本上金属的”是指涵盖至少部分呈基本上元素形式的金属，并且“基本上元素的”是指这样的形式，就电子状态和能量而言以及就所包含的金属原子的化学键而言，该形式更接近于元素金属或游离金属原子的形式、或金属原子簇的形式，而不是更接近于有机金属金属化合物或包含金属与非金属之间的共价键的其它化合物的金属盐的形式、或金属的配位化合物的形式。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管，其中所述基本上金属阴极层还包含第二零价金属，其中所述第二零价金属选自主族金属或过渡金属；并且其中所述第二零价金属不同于所述第一零价金属。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第二零价金属选自Li、Na、K、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ag、Au、Al、Ga、In、Sn、Te、Bi、Pb及其混合物。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述碱金属有机络合物是锂有机络合物。

9.一种制备根据权利要求1所述的有机发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：

将至少一种碱金属有机络合物和至少一种如权利要求1中所定义的式1化合物共沉积在所述阳极上，共沉积在所述阴极上，或者共沉积在在所述阳极或所述阴极上形成的一个或多个层上

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底上沉积阳极；

在所述阳极上沉积发光层；

在所述发光层上沉积所述有机半导体层；和

在所述有机半导体层上沉积所述阴极。

11.根据权利要求9所述的方法，其中沉积所述有机半导体层包括真空热蒸发。