[发明专利]包含有机半导体层的有机发光二极管有效
申请号: | 201780029624.8 | 申请日: | 2017-04-07 |
公开(公告)号: | CN109314191B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 雷吉娜·卢舍蒂尼特兹;弗朗索瓦·卡尔迪纳利;朱莉恩·弗雷;多玛果伊·帕维奇科 | 申请(专利权)人: | 诺瓦尔德股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;C07F9/53 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;穆德骏 |
地址: | 德国德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 有机半导体 有机 发光二极管 | ||
本发明涉及一种有机发光二极管,所述有机发光二极管包含阳极,阴极,至少一个发光层和有机半导体层,其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间,并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物,其中X选自O、S或Se;并且R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团,其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团,优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代;并且各R3、R4、R5和R6独立地选自H、C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团,优选H、C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团;并涉及制备所述有机发光二极管的方法以及所述有机发光二极管中包含的式1化合物。
技术领域
本发明涉及一种包含有机半导体层的有机发光二极管(OLED),其中包含的式1化合物和制造包含所述有机半导体层的所述有机发光二极管(OLED)的方法。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)具有宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性和色彩再现。典型的OLED包含阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极,它们依序层叠在基底上。在这方面,HIL、HTL、EML和ETL是由有机化合物形成的薄膜。
当向阳极和阴极施加电压时,从阳极注入的空穴经由HIL和HTL移动到EML,并且从阴极注入的电子经由ETL移动到EML。空穴和电子在EML中重新组合以生成激子。
因此,本发明的目的是提供一种克服现有技术缺点的有机发光二极管和用于其中的化合物。现有技术的有机发光二极管可能具有高工作电压和/或低效率的缺点,并且用于制造有机发光二极管的有机半导体材料可能具有低玻璃化转变温度和/或低挥发性的缺点。
鉴于现有技术,仍然需要改进OLED和有机半导体材料的性能,特别是改进工作电压,实现更高的效率,以及实现其中包含的化合物的高玻璃化转变温度和改进的挥发性。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种具有改进的工作电压和效率的有机发光二极管,以及所述有机发光二极管中包含的具有改进的玻璃化转变温度和挥发性的化合物。
该目的是通过包含阳极、阴极、至少一个发光层和有机半导体层的有机发光二极管来实现的,其中所述有机半导体层布置在所述阳极与所述阴极之间,并且所述有机半导体层包含碱金属有机络合物和式1化合物
其中
X选自O、S或Se;并且
R1和R2独立地选自C6至C18芳基基团和C5至C18杂芳基基团,其中R1和R2中的每一个可独立地是未被取代的或被至少一个C1至C12烷基基团或C1至C12烷氧基基团,优选C1至C4烷基基团或C1至C4烷氧基基团取代;并且
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择