[发明专利]碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置在审
| 申请号： | 201780029769.8 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN109155239A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 田中贵规;山本茂久;中村勇;木村泰广;中田修平;三谷阳一郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;C30B29/36;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 碳化硅半导体装置 碳化硅外延 单晶基板 基底面 碳化硅 转换率 基板 位错 外延基板 | ||
1.一种碳化硅外延基板(3)，其特征在于，具备：
碳化硅单晶基板(10)、
在所述碳化硅单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、
在所述第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和
在所述第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，
将在所述第1外延层(41)的下表面所存在的基底面位错设为a个时，在所述第2外延层(42)的上表面存在的基底面位错为a×0.001个以下，
所述第1外延层(41)中的基底面位错的转换率比所述第2外延层(42)中的基底面位错的转换率低。
2.根据权利要求1所述的碳化硅外延基板(3),其中，
所述第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，
所述第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延基板(3)，其中，所述第1外延层(41)及所述第2外延层(42)的杂质浓度为1×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延基板(3)，其中，将所述第1外延层(41)的杂质浓度设为Na、将所述第2外延层(42)的杂质浓度设为Nb时，满足0.01≤Nb/Na≤1。
5.根据权利要求1或2所述的碳化硅外延基板(3)，其中，在所述第1外延层(41)与所述第2外延层(42)的界面及所述第2外延层(42)中所存在的基底面位错与台阶流方向所成的角度为±45°以下。
6.一种碳化硅半导体装置，其包含根据权利要求1-5中任一项所述的碳化硅外延基板(3)。
7.根据权利要求6所述的碳化硅半导体装置，其中，将所述第1外延层(41)及所述第2外延层(42)作为缓冲层，将所述第3外延层(43)作为漂移层。
8.根据权利要求6所述的碳化硅半导体装置，其中，还具备：在所述第3外延层(43)上形成、杂质浓度比所述第3外延层(43)低的第4外延层(44)，
将所述第1外延层(41)、所述第2外延层(42)及所述第3外延层(43)作为缓冲层，将所述第4外延层(44)作为漂移层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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