[发明专利]用于高功率密度EMI屏蔽的电子器件的热管理的系统和方法有效
申请号: | 201780029991.8 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN109156093B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | K·克雷格 | 申请(专利权)人: | 康普技术有限责任公司 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H05K7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 功率密度 emi 屏蔽 电子器件 管理 系统 方法 | ||
用于高功率密度EMI屏蔽的电子器件的热管理的系统和方法。在一个实施例中,一种电子模块包括:电路板;安装到电路板的至少一个集成电路;安装到电路板的至少一个电磁干扰(EMI)屏蔽栅,其中,该至少一个集成电路安装在由EMI屏蔽栅限定的周界内;散热EMI屏蔽盖,固定在该至少一个EMI屏蔽栅上,其中,散热EMI屏蔽盖将该至少一个集成电路密封在该至少一个EMI屏蔽栅内;其中,散热EMI屏蔽盖包括与该至少一个集成电路导热接触的弹簧加载的热界面。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年4月4日提交的题为“SYSTEMS AND METHODS FOR THERMALMANAGEMENT FOR HIGH POWER DENSITY EMI SHIELDED ELECTRONIC DEVICES”的美国临时专利申请62/317,929的优先权和权益,该申请通过引用整体并入本文。
背景技术
发送和接收射频(RF)信号的现代产品通常包括数字组件和一个或多个集成天线。集成天线和数字组件都容易受到拾取噪声的影响,这些噪声会对由组件处理的信号引入干扰。在这些组件周围添加电磁干扰(EMI)屏蔽件在减轻这种干扰方面是有效的。然而,特别是在高频RF通信应用中,数字组件通常使用集成片上系统(SOC)器件来实现。随着持续的技术进步,这些器件以越来越小的加工尺寸(footprint)来进行制造,因此与这些器件相关联的功率密度也相应提高。倒装芯片球栅阵列(Flip-Chip Ball Grid Array,FC-BGA)是一种安装技术,其对于高功率密度SOC器件已经变得普遍,因为低外壳阻抗避免了在EMI屏蔽件所包围的区域内产生不必要的热量。即使如此,FC-BGA SOC器件的有源区产生在小区域中集中的大量热量,并且热量通常必须利用完全包围在EMI屏蔽件内的器件消散,以使SOC器件保持可操作。
发明内容
本公开的实施例提供用于高功率密度EMI屏蔽的电子器件的热管理的方法和系统,并且将通过阅读和研究以下说明书来理解。
在一个实施例中,一种电子模块包括:电路板;至少一个集成电路,安装到电路板;至少一个电磁干扰(EMI)屏蔽栅(fence),安装到电路板,其中,该至少一个集成电路安装在由EMI屏蔽栅限定的周界内;散热EMI屏蔽盖,固定在该至少一个EMI屏蔽栅上,其中,散热EMI屏蔽盖将该至少一个集成电路密封在该至少一个EMI屏蔽栅内;其中,散热EMI屏蔽盖包括与该至少一个集成电路导热接触的弹簧加载的热界面。
附图说明
当考虑优选实施例的描述和以下附图时,能够更容易地理解本公开的实施例并且其进一步的优点和用途将更加明显,其中:
图1、图1A和图1B是例示本公开的一个实施例的无线电模块100的示图;
图1C是例示本公开的一个实施例的示例集中式无线电接入网络(C-RAN)的示图;
图1D是例示本公开的一个实施例的示例分布式天线系统(DAS)的示图;
图2和图2A是例示本公开的一个实施例的无线电模块100的一种实施方式的示图,其中EMI屏蔽栅内的多个组件导热耦合到散热EMI屏蔽盖;以及
图3是例示本公开的一个实施例的无线电模块100的替代实施方式的示图,该实施方式将不同EMI屏蔽栅内的多个组件耦合到公共的散热EMI屏蔽盖。
根据惯例,各种描述的特征未按比例绘制,而是用于强调与本文所述的实施例相关的特征。相似的附图标记在整个图和文本中表示相似的元件。
具体实施方式
在以下的详细描述中,参考形成其一部分的附图,并且其中通过可以实践的特定示例性实施例示出。足够详细地描述这些实施例以使得本领域技术人员能够实践这些实施例,并且应该理解,可以利用其他实施例,并且可以在不脱离本公开的范围的情况下进行逻辑、机械和电气变化。因此,以下详细描述不应被视为具有限制意义。
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