[发明专利]封装膜

权利要求书

1.一种用于有机电子元件的封装膜，包括：

金属层，所述金属层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；以及

封装层，所述封装层设置在所述第一表面上、位于所述第一表面的边缘内侧，使得在所述封装层的一些区域的边缘与所述第一表面的边缘之间形成尺寸为20μm至1000μm的间隙，并且所述封装层在其一些区域的边缘处具有倾斜部分，

其中，所述封装层具有第三表面和与所述第三表面相对的第四表面，所述封装层的所述第四表面面对所述金属层的所述第一表面，所述间隙的尺寸从所述封装层的所述第三表面的侧端测量。

2.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述倾斜部分的宽度d范围为2μm至1000μm。

3.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层的门尼粘度η*范围为2.0×10Pa·s至10⁸Pa·s，所述门尼粘度是在5％应变、1Hz频率和100℃温度的条件下根据剪应力测量的。

4.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层在其一些区域的边缘处具有固化部分。

5.根据权利要求4所述的封装膜，其中所述固化部分的宽度范围为10μm至1100μm。

6.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述金属层包含以下中的任一者：金属、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物、金属氮氧化物、金属硼氧化物、及其混合物。

7.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述金属层包含以下中的任一者：铁、铝、铜、镍、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、铟氧化物、锡氧化物、铟锡氧化物、钽氧化物、锆氧化物、铌氧化物、及其混合物。

8.根据权利要求1所述的封装膜，还包括设置在所述金属层的所述第二表面上的保护层和设置在所述金属层与所述保护层之间的粘合层。

9.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层由单层或者两个或更多个层形成。

10.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包括第一层，所述第一层包含玻璃化转变温度为85℃或更高的封装树脂。

11.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包括第二层，所述第二层包含玻璃化转变温度为0℃或更低的封装树脂。

12.根据权利要求1所述的封装膜，其中所述封装层包含吸湿剂。

13.一种制造根据权利要求1所述的封装膜的方法，包括切割封装层的侧面。

14.根据权利要求13所述的方法，包括切割金属层的侧面。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述切割封装层的侧面是使用CO₂激光或光纤激光进行的。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述切割金属层的侧面是使用CO₂激光、光纤激光或刀式切割机进行的。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述切割封装层的侧面是使用尺寸为50μm至500μm的激光束进行的。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述切割金属层的侧面是使用尺寸为1μm至30μm的激光束进行的。

19.一种有机电子器件，包括基底、形成在所述基底上的有机电子元件、以及被配置为封装所述有机电子元件的整个表面的根据权利要求1所述的封装膜。

20.一种制造有机电子器件的方法，包括：

将根据权利要求1所述的封装膜施加至其上形成有有机电子元件的基底以覆盖所述有机电子元件；以及

使所述封装膜固化。