[发明专利]使用多级DDR系统中的基于业务的自刷新来进行周期性ZQ校准

权利要求书

1.一种用于存储器校准的方法，其包括：

调度ZQ校准短命令来根据ZQ间隔校准多级双数据速率DDR存储器系统；

响应于确定动态随机存取存储器DRAM级在所述ZQ间隔处于自刷新模式，记录多级DDR存储器系统中的所述DRAM级未命中所述ZQ校准短命令；以及

至少部分地基于在所述DRAM级处于所述自刷新模式时未命中的某一数目的ZQ校准短命令，在退出所述自刷新模式之后，调度ZQ命令来校准所述DRAM级。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在退出所述自刷新模式之后调度所述ZQ命令来校准所述DRAM级包括：响应于未命中的ZQ校准短命令的所述数目低于第一阈值，在下一ZQ间隔中调度另一ZQ校准短命令。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在退出所述自刷新模式之后调度所述ZQ命令来校准所述DRAM级包括：响应于未命中的ZQ校准命令的所述数目达到第一阈值，在下一ZQ间隔中调度ZQ校准长命令。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

响应于所述DRAM级在所述下一ZQ间隔之前退出所述自刷新模式，在所述下一ZQ间隔执行经调度的ZQ校准长命令；以及

响应于执行所述经调度的所述ZQ校准长命令而恢复正常ZQ行为，其中恢复所述正常ZQ行为包括调度ZQ校准短命令来根据所述ZQ间隔校准所述DRAM级。

5.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

响应于至少一个DRAM级在所述下一ZQ间隔之前不退出所述自刷新模式，记录所述DRAM级未命中所述ZQ校准长命令；以及

响应于确定所述DRAM级在处于所述自刷新模式时未命中的ZQ校准长命令的数目低于第二阈值，在下一ZQ间隔中调度另一ZQ校准长命令。

6.根据权利要求3所述的方法，其进一步包括：

响应于至少一个DRAM级在所述下一ZQ间隔之前不退出所述自刷新模式，记录所述DRAM级未命中所述ZQ校准长命令；以及

响应于所述DRAM级在处于所述自刷新模式时未命中的ZQ校准长命令的数目达到第二阈值，在所述DRAM级退出所述自刷新模式后，即刻触发所述ZQ校准长命令，其中紧接在所述DRAM级退出所述自刷新模式之后且在存取所述多级DDR存储器系统的任何请求之前，执行所触发的ZQ校准长命令。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括跳过所执行的ZQ校准长命令之后的下一经调度的ZQ间隔。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在先前ZQ校准完成之后，在所述DRAM级进入所述自刷新模式之前，调度所述ZQ命令来补偿电压和温度的变化。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述ZQ命令包括另一ZQ校准短命令或ZQ校准长命令。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述ZQ校准短命令在比ZQ校准长命令少的时钟循环中完成，且其中所述ZQ校准长命令补偿比所述ZQ校准短命令宽的电压和温度的变化。

11.一种用于存储器校准的设备，其包括：

双数据速率DDR存储器系统，其包括多个动态随机存取存储器DRAM级；以及

存储器控制器，其耦合到所述DDR存储器系统，其中所述存储器控制器经配置以：

调度ZQ校准短命令来根据ZQ间隔校准所述DDR存储器系统；

响应于确定DRAM级在所述ZQ间隔处于自刷新模式，记录所述DDR存储器系统中的所述多个动态随机存取存储器DRAM级之中的所述DRAM级未命中所述ZQ校准短命令；以及

至少部分地基于在所述DRAM级处于所述自刷新模式时未命中的某一数目的ZQ校准短命令，在退出所述自刷新模式之后，调度ZQ命令来校准所述DRAM级。