[发明专利]细胞培养基质、细胞内含物的制备方法、细胞培养基质的制备方法

权利要求书

1.一种细胞培养基质，包含由含有SiO₂的无机材料组成的基板，其特征在于，所述细胞培养基质在培养面上具有多个凹凸结构，测量区域为1μm四方，低通轮廓曲线滤波器的截断值为1nm，高通轮廓曲线滤波器的截断值为170nm，依据JISB0601（2013）以及JISR1683（2014）并使用原子力显微镜测量所述凹凸结构时，至少在一个方向上的所述凹凸结构的轮廓曲线元素的平均长度是1～170nm，平均线是在根据最小二乘法将曲线修正为直线时，与其直线平行，且表示轮廓曲线中高度的累计相对频率分布为50%的线，其中，所述曲线表示被所述高通轮廓曲线滤波器阻断的长波长成分。

2.如权利要求1所述的细胞培养基质，其特征在于，所述轮廓曲线的分水岭算法高度是0.1～8nm，所述分水岭算法高度是在翻转上端线和下端线进行水平修正的状态下，通过分水岭算法测量的所述轮廓曲线中的翻转后的低谷的最低点与所述下端线之间的平均距离，其中，上端线表示所述轮廓曲线中高度的累计相对频率分布为100%，下端线表示高度的累计相对频率分布为0%。

3.如权利要求1或2所述的细胞培养基质，其特征在于，平均长度W1和W2的宽高比为1.95以下，所述宽高比为在所述平均长度W1、W2中，较大的值除以较小的值的平均值，其中，W1为在X方向的所述凹凸结构的轮廓曲线元素的平均长度，W2为与所述X方向垂直的Y方向的所述凹凸结构的轮廓曲线元素的平均长度。

4.如权利要求1至3的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，所述培养面呈由多孔SiO₂膜包覆的凹凸结构。

5.如权利要求1至3的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，所述培养面呈由磷酸钙化合物膜包覆的凹凸结构。

6.如权利要求4所述的细胞培养基质，其特征在于，所述多孔SiO₂膜的厚度是1～200nm。

7.如权利要求5所述的细胞培养基质，其特征在于，所述磷酸钙化合物膜的厚度是1～200nm。

8.如权利要求1至7的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，所述无机材料包含SiO₂。

9.如权利要求1至8的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，所述培养面不包含B₂O₃。

10.如权利要求1至9的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，可见光透射率为70%以上。

11.如权利要求1至10的任意一项所述的细胞培养基质，其特征在于，所述凹凸结构为槽状、孔状或者鳞状。

12.一种细胞内含物的制备方法，其特征在于，

包括利用权利要求1至11任意一项所述的细胞培养基质培养细胞的工序。

13.一种细胞内含物的制备方法，其特征在于，

包括使用由聚苯乙烯构成的细胞培养基质培养细胞，在以所述细胞的密度为细胞培养基质的培养面的90%的培养时间作为1T的情况下，使用权利要求1至11任意一项所述的细胞培养基质在1/2T～2/3T的培养时间内培养细胞，其中，所述细胞培养基质由所述聚苯乙烯构成。

14.一种细胞培养基质的制备方法，其特征在于，

包括对权利要求1至11任意一项所述的细胞培养基质进行高压灭菌处理，制备循环使用的细胞培养基质。

15.如权利要求14所述的细胞培养基质的制备方法，其特征在于，还包括去除所述高压灭菌处理后的细胞培养基质上的蛋白质。