[发明专利]旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置在审
申请号: | 201780030916.3 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN109155272A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 真下郁夫;田村正树;永井秀彰 | 申请(专利权)人: | 三益半导体工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/027;H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 高颖 |
地址: | 日本国群*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外周 晶片 可动销 旋转台 保持装置 晶片保持 晶片旋转 清洗 蚀刻 旋转处理 上表面 可动 替换 残留 | ||
本发明提供一种旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置,能够在旋转处理中在维持晶片的姿态的状态下改变晶片的保持位置,减轻由蚀刻造成的外周销的痕迹,减少清洗残留、清洗不均。具有:旋转台,在上表面保持晶片;和可动的多个外周可动销,设置在旋转台且用于对晶片的外周进行保持,该多个外周可动销包含多个第一外周可动销、和晶片的保持位置与该第一外周可动销不同的多个第二外周可动销,在晶片的处理中,通过替换由第一外周可动销和第二外周可动销进行的晶片的保持,从而改变晶片的保持位置。
技术领域
本发明涉及晶片旋转保持装置中的旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置。
背景技术
以往,在半导体制造工序中,如旋转蚀刻、旋转干燥、旋涂等那样在使硅等半导体晶片旋转的同时进行各种处理的工序(也称为旋转工艺)正在增加。作为具体的装置,已知旋转蚀刻装置、旋转干燥装置、旋涂装置等晶片旋转保持装置。除此以外,作为设备的制造工序中的晶片表面的处理,除了用于除去背面磨削后的损伤层的蚀刻处理之外,还能够举出显影液对晶片的涂敷、在将电路图案曝光后的晶片表面涂敷显影液并将半导体电路烧制到该涂敷了显影液的晶片后得到的制品的显影处理、晶片表面的清洗等。作为用于对这样的晶片进行旋转处理的晶片旋转保持装置和方法,例如有专利文献1~4所记载的装置和方法。
图5是示出现有的晶片旋转保持装置的概要示意图,图6是示出图5的驱动部的详细情况的主要部位放大图。如图5以及图6所示,现有的晶片旋转保持装置30中的旋转台32上的晶片W的保持方法是利用由一根可动销34和两根固定销36构成的三根外周销来保持晶片W。在图5中,附图标记40是用于支承晶片W的下表面的支承销。
在投入晶片W时,将可动销34向外侧打开,设置晶片W,接下来通过关闭可动销34从而将晶片W按压到固定销36侧进行保持。一旦保持晶片W,就在该状态下进行旋转处理,在旋转处理完成后,成为将可动销34打开而取出晶片W的结构。关于可动销34的驱动传递方法,其是在旋转停止中由安装于非旋转结构物的缸体38从外部进行上推而实现开闭的。在旋转处理中,可动销34成为铰链结构,利用弹簧将晶片W始终以一定的压力按压保持在固定销36侧。
在前述现有的利用外周销对放置于旋转台32的晶片W进行固定的方法中,由于外周销的保持位置在处理中是固定的,因此,存在以下这样的问题:在该部分产生由蚀刻造成的销的痕迹,或者在接触部产生清洗残留,或者销所进行的外周环绕受到阻碍而产生偏差。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4625495号
专利文献2:日本专利第4111479号
专利文献3:日本专利第4257816号
专利文献4:日本专利第4364242号
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述现有技术而完成的,其目的在于提供一种旋转台用晶片保持机构及方法和晶片旋转保持装置,通过对使用多个外周可动销来保持晶片的外周可动销进行替换,从而能够在旋转处理中在维持晶片的姿态的状态下改变晶片的保持位置,减轻由蚀刻造成的外周销的痕迹,减少清洗残留、清洗不均。
用于解决课题的手段
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造